ZHCST40B September 2023 – May 2025 LMG3626
PRODUCTION DATA
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機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REQ|38
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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6.1 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)
GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)測試電路 展示了用于測量 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)的電路。該電路用作雙脈沖測試儀。有關(guān)雙脈沖測試儀的詳細信息，請參閱外部基準。電路在升壓配置下運行，低側(cè) LMG3626 為被測器件 (DUT)。高側(cè) LMG3626 充當雙脈沖測試儀二極管，并在關(guān)斷狀態(tài)第三象限導通模式下實現(xiàn)電感器電流循環(huán)。
圖 6-1 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)測試電路
GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) 顯示了 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)。
GaN 功率 FET 導通轉(zhuǎn)換有三個時序分量：漏極電流導通延遲時間、導通延遲時間和導通上升時間。請注意，導通上升時間與 VDS 80% 至 20% 下降時間相同。所有三個導通時序分量都是 RDRV 引腳設置的函數(shù)。
GaN 功率 FET 關(guān)斷轉(zhuǎn)換具有兩個時序分量：關(guān)斷延遲時間和關(guān)斷下降時間。請注意，關(guān)斷下降時間與 VDS 20% 至 80% 上升時間相同。關(guān)斷時序分量與 RDRV 引腳設置無關(guān)，但在很大程度上取決于 LHB 電流。
與導通上升時間電壓差 (240V) 相比，導通壓擺率是在較小的電壓差 (100V) 下測量的，以獲得更快的壓擺率，這對 EMI 設計很有用。RDRV 引腳用于設定壓擺率。
圖 6-2 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù)