ZHCSLM7E March 2020 – October 2025 LMQ61460
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 EN/SYNC 用于使能和 VIN UVLO
- 7.3.2 用于同步的 EN/SYNC 引腳
- 7.3.3 可調(diào)開關(guān)頻率
- 7.3.4 時(shí)鐘鎖定
- 7.3.5 PGOOD 輸出運(yùn)行
- 7.3.6 內(nèi)部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 輸入
- 7.3.7 自舉電壓和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引腳）
- 7.3.8 SW 節(jié)點(diǎn)壓擺率可調(diào)
- 7.3.9 展頻
- 7.3.10 軟啟動(dòng)和從壓降中恢復(fù)
- 7.3.11 輸出電壓設(shè)置
- 7.3.12 過流和短路保護(hù)
- 7.3.13 熱關(guān)斷
- 7.3.14 輸入電源電流
- 7.4 器件功能模式
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RJR|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.12 過流和短路保護(hù)
該器件通過針對高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護(hù)。
高側(cè) MOSFET 過流保護(hù)是通過峰值電流模式控制的特性來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個(gè)開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點(diǎn)的最小值，或與電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的輸出減去斜率補(bǔ)償之后的值進(jìn)行比較。由于電壓環(huán)路具有最大值并且斜率補(bǔ)償隨占空比增加，因此當(dāng)占空比高于 35% 時(shí)，高側(cè)電流限值會(huì)隨著占空比的增加而減小。
當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時(shí)，也會(huì)檢測和監(jiān)控開關(guān)電流。與高側(cè)器件一樣，低側(cè)器件會(huì)根據(jù)電壓控制環(huán)路低側(cè)電流限值的命令關(guān)斷。如果低側(cè)開關(guān)電流在開關(guān)周期結(jié)束時(shí)高于 ILS_Limit，則開關(guān)周期會(huì)延長，直到低側(cè)電流降至限值以下。一旦低側(cè)電流降至其限值以下，低側(cè)開關(guān)就會(huì)關(guān)斷，并且只要自高側(cè)器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個(gè)時(shí)鐘周期，高側(cè)開關(guān)就會(huì)再次導(dǎo)通。
圖 7-12 電流限值波形因?yàn)殡娏鞑ㄐ渭俣ㄖ到橛?IL-HS 和 IL-LS 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個(gè)值的平均值。使用了遲滯控制，并且當(dāng)輸出電壓接近零時(shí)，電流不會(huì)增加。
如果存在極端過載情況，該器件會(huì)采用斷續(xù)過流保護(hù)，并且在連續(xù) 128 個(gè)開關(guān)周期內(nèi)滿足以下條件：
- 輸出電壓低于輸出電壓設(shè)定點(diǎn)的約 0.4 倍。
- 自軟啟動(dòng)開始經(jīng)過大于 tSS2 的時(shí)間；請參閱節(jié) 7.3.10。
- 該器件不在壓降下運(yùn)行，表明具有最短關(guān)斷時(shí)間受控占空比。
在斷續(xù)模式下，器件會(huì)自行關(guān)斷，并在 tW 后嘗試軟啟動(dòng)。斷續(xù)模式有助于在嚴(yán)重過流和短路情況下降低器件功耗。請參閱圖 7-13。
一旦消除過載，器件就會(huì)像在軟啟動(dòng)中一樣恢復(fù)；請參閱圖 7-14。
圖 7-13 斷續(xù)期間的電感器電流突發(fā)
圖 7-14 短路恢復(fù)