ZHCSLM7E March 2020 – October 2025 LMQ61460
PRODUCTION DATA
為了在效率方面優(yōu)化 EMI,該器件旨在于高側(cè) FET 導(dǎo)通期間通過電阻器選擇高側(cè) FET 驅(qū)動器的強(qiáng)度。請參閱圖 7-7。通過 RBOOT 引腳消耗的電流(虛線環(huán)路)被放大并通過 CBOOT 消耗(虛線)。該電流用于導(dǎo)通高側(cè)電源 MOSEFT。
由于 RBOOT 對 CBOOT 短路,因此上升時(shí)間非常短。因此,直到高于 150MHz 時(shí),SW 節(jié)點(diǎn)諧波才會“滾降”。100Ω 的啟動電阻對應(yīng)于大約 2.7ns 的 SW 節(jié)點(diǎn)上升,該 100Ω 啟動電阻實(shí)際上消除了 SW 節(jié)點(diǎn)過沖。在大多數(shù)情況下,這種較長的上升時(shí)間使 SW 節(jié)點(diǎn)諧波中的能量都能在 100MHz 附近滾降。滾降諧波可以消除許多應(yīng)用中對屏蔽和共模扼流圈的需求。請注意,上升時(shí)間隨著輸入電壓的增加而延長。隨著 RBOOT 電阻升高,存儲電荷產(chǎn)生的噪聲也顯著降低。采用較低壓擺率切換也會降低效率。