ZHDS089 February 2026 MUX708-Q1
PRODUCTION DATA
MUX708-Q1 具有傳輸門(mén)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如圖 8-1 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關(guān)的雜散電容中的任何不匹配都會(huì)在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)或閉合時(shí)導(dǎo)致輸出電平發(fā)生變化。
圖 8-1 傳輸門(mén)拓?fù)?/span>MUX708-Q1 包含可減少漏極 (D) 電荷注入的專用架構(gòu)。為了進(jìn)一步減少敏感應(yīng)用中的電荷注入,可以在源極 (Sx) 上添加補(bǔ)償電容器 (Cp)。這將確保開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的多余電荷被推入源極 (Sx) 而非漏極 (D) 上的補(bǔ)償電容器。通常,Cp 應(yīng)比漏極 (D) 等效負(fù)載電容大 20 倍。圖 8-2 展示了源極側(cè)不同補(bǔ)償電容器的電荷注入變化。該圖是在 100pF 負(fù)載電容下采集的。