ZHCSX18C September 2024 – December 2025 TIOL221

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封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|24
YAH|25

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

8 TIOL221 寄存器

表 8-1 列出了 TIOL221 寄存器的存儲器映射寄存器。表 8-1 中未列出的所有寄存器偏移地址都應(yīng)視為保留的位置，并且不得修改寄存器內(nèi)容。

表 8-1 TIOL221 寄存器

地址	首字母縮寫詞	寄存器名稱	部分
0h	INT	中斷	轉(zhuǎn)到
1h	狀態(tài)	狀態(tài)	轉(zhuǎn)到
2h	DEVICE_CONFIG	器件配置	轉(zhuǎn)到
3h	CQ_CURLIM	CQ 驅(qū)動器電流限制	轉(zhuǎn)到
4h	CQ_CONFIG	CQ 配置	轉(zhuǎn)到
5h	DIO_CONFIG	DIO 配置	轉(zhuǎn)到
6h	DO_CURLIM	DO 驅(qū)動器電流限制	轉(zhuǎn)到
7h	DEVICE_ID	器件 ID	轉(zhuǎn)到
8h	INT_MASK	中斷屏蔽	轉(zhuǎn)到
9h	RESET_CONFIG	復(fù)位引腳配置寄存器	轉(zhuǎn)到

復(fù)雜的位訪問類型經(jīng)過編碼可適應(yīng)小型表單元。表 8-2 展示了適用于此部分中訪問類型的代碼。

表 8-2 TIOL221 訪問類型代碼

訪問類型	代碼	說明
讀取類型
R	R	讀取
RC	R C	讀取以清除
寫入類型
W	W	寫入
復(fù)位或默認(rèn)值
-n		復(fù)位后的值或默認(rèn)值

8.1 INT 寄存器（地址 = 0h）[復(fù)位 = 00h]

圖 8-1 顯示了 INT，表 8-3 對其進(jìn)行了介紹。

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中斷寄存器反映各種故障條件的當(dāng)前狀態(tài)。清除故障后，不會自動清除中斷寄存器。如果故障條件不再存在，則在讀取時清除寄存器

圖 8-1 INT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TSD_INT	WU_INT	DO_FAULT_INT	CQ_FAULT_INT	LPW_INT	RESERVED	UV_V5_INT	TEMP_WARN
RC-0b	RC-0b	RC-0b	RC-0b	RC-0b	R-0b	RC-0b	RC-0b

表 8-3 INT 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	TSD_INT	RC	0b	熱關(guān)斷中斷位。清除故障后，不會自動清除此位。如果故障不再存在，則在讀取時清除該位 0b = 器件處于熱關(guān)斷狀態(tài) 1b = 器件進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)
6	WU_INT	RC	0b	當(dāng)在 CQ 上檢測到 IO-Link 喚醒條件時會設(shè)置此位。 0b = 未檢測到喚醒 1b = 檢測到喚醒
5	DO_FAULT_INT	RC	0b	當(dāng)發(fā)生 DO 驅(qū)動器故障（過流或熱故障）時會設(shè)置該位 0b = DO 驅(qū)動器上無故障 1b =發(fā)生了 DO 驅(qū)動器故障
4	CQ_FAULT_INT	RC	0b	當(dāng)發(fā)生 CQ 驅(qū)動器故障（過流或熱故障）時會設(shè)置該位 0b = CQ 驅(qū)動器上無故障 1b =發(fā)生了 CQ 驅(qū)動器故障
3	LPW_INT	RC	0b	當(dāng) LP 低于警告閾值時會設(shè)置該位 0b = LP 高于警告閾值 1b = LP 已降至警告閾值以下
2	RESERVED	R	0b	保留
1	UV_V5_INT	RC	0b	V5IN 電源輸入端發(fā)生欠壓（僅當(dāng) VSEL 引腳懸空且 V5IN 是 LDO 輸入時有效） 0b = V5IN 上無 UV 故障 1b = V5IN 上的 UV 故障
0	TEMP_WARN	RC	0b	熱警告中斷 0b = 無熱警告 1b =達(dá)到熱警告限值

8.2 STATUS 寄存器（地址 = 1h）[復(fù)位 = 00h]

圖 8-2 顯示了狀態(tài)，在表 8-4 中對此進(jìn)行了介紹。

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狀態(tài)寄存器反映各種故障情況的當(dāng)前狀態(tài)。這些寄存器是只讀的，并在清除故障后自動清除。注意：軟復(fù)位不會復(fù)位 STATUS 寄存器位，因為這些位反映了故障的當(dāng)前狀態(tài)。在讀取 STATUS 寄存器時讀取 MSB 字節(jié)，因為 POR 恢復(fù)位在 LSB 字節(jié)傳輸?shù)綌?shù)據(jù)輸出時清除

圖 8-2 STATUS 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POR_RECOVERY	TSD	DI_LEVEL	DO_FAULT	CQ_FAULT	UV_V5	CQ_RX_LEVEL	TEMP_WARN
RC-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b

表 8-4 狀態(tài)寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	POR_RECOVERY	RC	0b	當(dāng)器件從 POR 事件中恢復(fù)時，設(shè)置此位。讀取時該位被清除 0b = 器件正常運(yùn)行 1b =器件已從 POR 事件中恢復(fù)
6	TSD	R	0b	該位反映了熱關(guān)斷的狀態(tài)。當(dāng)溫度低于熱關(guān)斷閾值時，自動清除該位 0b = 無熱關(guān)斷 1b = 器件處于熱關(guān)斷狀態(tài)
5	DI_LEVEL	R	0b	當(dāng) DI 電壓為邏輯高電平時設(shè)置此位，當(dāng) DI 電壓為邏輯低電平時清除此位。注意：如果 DI_DIS 位設(shè)置為 1，則此位無效。 0b = 0x0 1b = 0x1
4	DO_FAULT	R	0b	該位顯示 DO 驅(qū)動故障狀態(tài) 0b = DO 引腳無故障 1b = DO 引腳處存在故障
3	CQ_FAULT	R	0b	該位顯示 CQ 驅(qū)動器的故障狀態(tài) 0b = CQ 引腳無故障 1b = CQ 引腳處存在故障
2	UV_V5	R	0b	該位顯示 V5IN 引腳上的 UV 條件狀態(tài) 0b = V5IN 電壓高于 UVLO 閾值 1b = V5IN 低于 UVLO 閾值
1	CQ_RX_LEVEL	R	0b	當(dāng) CQ 電壓為邏輯高電平時設(shè)置此位，當(dāng) CQ 電壓為邏輯低電平時清除此位。注意：如果 CQ_RX_DIS 位設(shè)置為 1，則此位無效。 0b = 0x0 1b = 0x1
0	TEMP_WARN	R	0b	顯示器件溫度高于或低于溫度警告閾值 0b = 無溫警告 1b =器件溫度高于警告閾值

8.3 DEVICE_CONFIG 寄存器（地址 = 2h）[復(fù)位 = 00h]

圖 8-3 展示了 DEVICE_CONFIG，表 8-5 中對此進(jìn)行了介紹。

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器件級配置寄存器

圖 8-3 DEVICE_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SOFT_RESET	WU_DIS	DO_CQ_TRACK	IOLINK_5MA_PD	DI_RX_FILTER	CQ_RX_FILTER	T_UVLO	INT_TOG
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 8-5 DEVICE_CONFIG 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	SOFT_RESET	R/W	0b	將所有寄存器復(fù)位為默認(rèn)值。注意：根據(jù)相應(yīng)的故障狀態(tài)，仍會設(shè)置狀態(tài)和中斷位。 0b = 無復(fù)位 1b = 器件配置的 1b 接口
6	WU_DIS	R/W	0b	0b = CQ 可以識別喚醒脈沖 1b = CQ 忽略喚醒脈沖
5	DO_CQ_TRACK	R/W	0b	如果設(shè)置了該位，DO 和 CQ 驅(qū)動器會根據(jù) TX 輸入和 CQ_CONFIG 設(shè)置同步工作。 0b = DO 和 CQ 驅(qū)動器是獨(dú)立的 1b = DO 和 CQ 驅(qū)動器作為 TX 輸入的函數(shù)進(jìn)行跟蹤
4	IOLINK_5MA_PD	R/W	0b	當(dāng)禁用相應(yīng)的驅(qū)動器時，在 CQ 和 DO 驅(qū)動器上啟用 5mA 下拉電流 ILLM。注意：CQ_CUR_LIM 和 DO_CUR_LIM 限值需要設(shè)置為 500mA，以便分別在 CQ 和 DO 處啟用此設(shè)置。 0b =禁用 5mA（最小）下拉電流 1b = 禁用相應(yīng)的驅(qū)動器時啟用 5mA 的（最?。┫吕娏?/li>
3	DI_RX_FILTER	R/W	0b	打開或關(guān)閉 DI 線路上的 RX 干擾濾波器 0b = 禁用 DI 干擾濾波器 1b = 啟用 DI 干擾濾波器
2	CQ_RX_FILTER	R/W	0b	打開或關(guān)閉 CQ 線路上的 RX 干擾濾波器 0b =禁用 CQ RX 干擾濾波器 1b =啟用 CQ RX 干擾濾波器
1	T_UVLO	R/W	0b	從 LP UVLO 恢復(fù)后，CQ，DO 重新啟用延遲 t (UVLO) 0b = 0.5ms (典型值) 1b = 30ms (典型值)
0	INT_TOG	R/W	0b	啟用中斷引腳切換 0b = 中斷引腳設(shè)置為有效的低電平 1b =中斷引腳設(shè)置為切換 200us 周期和 50% 工作周期

8.4 CQ_CURLIM 寄存器（地址 = 3h）[復(fù)位 = 20h]

圖 8-4 展示了 CQ_CURLIM，表 8-6 中對此進(jìn)行了介紹。

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CQ 驅(qū)動器電流限制和自動重試配置

圖 8-4 CQ_CURLIM 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
CQ_CUR_LIM			CQ_BL_TIME		CQ_RETRY_TIME		CQ_AUTO_RETRY_EN
R/W-001b			R/W-00b		R/W-00b		R/W-0b

表 8-6 CQ_CURLIM 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-5	CQ_CUR_LIM	R/W	001b	設(shè)置電流限值 000b = 35 mA（最小） 001b = 50 mA（最?。?/li> 010b = 100 mA（最小） 011b = 150 mA（最?。?/li> 100b = 200 mA（最?。?/li> 101b = 250 mA（最?。?/li> 110b = 300 mA（最?。?/li> 111b = 500 mA（最?。?/li>
4-3	CQ_BL_TIME	R/W	00b	設(shè)置電流消隱時間 00b = 200μs (典型值) 01b = 500μs (典型值) 10b = 5ms (典型值) 11b = 0s（無消隱時間）
2-1	CQ_RETRY_TIME	R/W	00b	設(shè)置自動重試時間 00b = 50ms (典型值) 01b = 100ms (典型值) 10b = 200ms (典型值) 11b = 500ms (典型值)
0	CQ_AUTO_RETRY_EN	R/W	0b	啟用自動重試。啟用時，會在消隱時間后禁用驅(qū)動器，并在重試時間后重新啟用驅(qū)動器。禁用自動重試時，驅(qū)動器會保持啟用狀態(tài)并僅在熱關(guān)斷后關(guān)閉。注意：當(dāng)消隱時間配置為 2b11（無消隱時間）時，啟用自動重試。 0b = 禁用 1b = 啟用

8.5 CQ_CONFIG 寄存器（地址 = 4h）[復(fù)位 = 0Ch]

圖 8-5 展示了 CQ_CONFIG，表 8-7 中對此進(jìn)行了介紹。

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用于 PNP/NPN 模式和弱上拉/下拉的 CQ 配置寄存器

圖 8-5 CQ_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		CQ_WEAK_PD_EN	CQ_WEAK_PU_EN	CQ_TX_MODE		CQ_Q	RX_DIS
R-0b		R/W-0b	R/W-0b	R/W-11b		R/W-0b	R/W-0b

表 8-7 CQ_CONFIG 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-6	RESERVED	R	0b	保留
5	CQ_WEAK_PD_EN	R/W	0b	當(dāng)驅(qū)動器被禁用時，配置 CQ 上的弱下拉 0b = 禁用弱下拉 1b = 啟用弱下拉
4	CQ_WEAK_PU_EN	R/W	0b	當(dāng)驅(qū)動器被禁用時，配置 CQ 上的弱上拉 0b = 禁用弱上拉 1b = 啟用弱上拉
3-2	CQ_TX_MODE	R/W	11b	配置驅(qū)動器傳輸模式 00b = PNP 模式 01b = 推挽模式 10b = NPN 模式 11b =驅(qū)動器被禁用
1	CQ_Q	R/W	0b	CQ 驅(qū)動器輸出邏輯 0b =當(dāng) EN1為低電平（或 CQ_DIS 為低電平時）時，CQ 處于高阻抗?fàn)顟B(tài) 1b = CQ 驅(qū)動器在推挽或 PNP 模式輸出邏輯高電平，在 NPN 模式下關(guān)斷CQ 驅(qū)動器
0	RX_DIS	R/W	0b	配置 CQ 線路的 RX 0b = 啟用 RX 1b = 禁用 RX

8.6 DIO_CONFIG 寄存器（地址 = 5h）[復(fù)位 = 0Ch]

圖 8-6 展示了 DIO_CONFIG，表 8-8 中對此進(jìn)行了介紹。

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圖 8-6 DIO_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DI_WEAK_PD_EN	DI_WEAK_PU_EN	DO_WEAK_PD_EN	DO_WEAK_PU_EN	DO_MODE		DO_Q	DI_DIS
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-11b		R/W-0b	R/W-0b

表 8-8 DIO_CONFIG 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	DI_WEAK_PD_EN	R/W	0b	配置 DI 的弱下拉 0b = 禁用弱下拉 1b = 啟用弱下拉
6	DI_WEAK_PU_EN	R/W	0b	配置 DI 上的弱上拉 0b = 禁用弱上拉 1b = 啟用弱上拉
5	DO_WEAK_PD_EN	R/W	0b	當(dāng)驅(qū)動器被禁用時，配置 DO 上的弱下拉 0b = 禁用弱下拉 1b = 啟用弱下拉
4	DO_WEAK_PU_EN	R/W	0b	當(dāng)驅(qū)動器被禁用時，配置 DO 上的弱上拉 0b = 禁用弱上拉 1b = 啟用弱上拉
3-2	DO_MODE	R/W	11b	配置 DO 驅(qū)動器傳輸模式 00b = PNP 模式 01b = 推挽模式 10b = NPN 模式 11b =驅(qū)動器被禁用
1	DO_Q	R/W	0b	DO 驅(qū)動器輸出邏輯 0b =當(dāng) EN2 為低電平（或 DO_DIS 為低電平時)，DO 處于高阻抗?fàn)顟B(tài) 1b = DO 驅(qū)動器在推挽或 PNP 模式輸出邏輯高電平，在 NPN 模式下關(guān)斷CQ 驅(qū)動器
0	DI_DIS	R/W	0b	配置 DI 接收器 0b = 啟用 DI 1b = 禁用 DI

8.7 DO_CURLIM 寄存器（地址 = 6h）[復(fù)位 = 20h]

圖 8-7 展示了 DO_CURLIM，表 8-9 中對此進(jìn)行了介紹。

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DO 驅(qū)動器電流限制和自動重試配置

圖 8-7 DO_CURLIM 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DO_CUR_LIM			DO_BL_TIME		DO_RETRY_TIME		DO_RETRY_EN
R/W-001b			R/W-00b		R/W-00b		R/W-0b

表 8-9 DO_CURLIM 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-5	DO_CUR_LIM	R/W	001b	設(shè)置電流限值 000b = 35 mA（最?。?/li> 001b = 50 mA（最?。?/li> 010b = 100 mA（最?。?/li> 011b = 150 mA（最?。?/li> 100b = 200 mA（最小） 101b = 250 mA（最小） 110b = 300 mA（最?。?/li> 111b = 500 mA（最?。?/li>
4-3	DO_BL_TIME	R/W	00b	設(shè)置電流消隱時間。注意：啟用自動重試后，不要配置 0b11（無消隱時間）。 00b = 200μs (典型值) 01b = 500μs (典型值) 10b = 5ms (典型值) 11b = 0s（無消隱時間）
2-1	DO_RETRY_TIME	R/W	00b	設(shè)置自動重試時間。注意：當(dāng)消隱時間配置為 2b11（無消隱時間）時，不要啟用自動重試。 00b = 50ms (典型值) 01b = 100ms (典型值) 10b = 200ms (典型值) 11b = 500ms (典型值)
0	DO_RETRY_EN	R/W	0b	啟用自動重試 0b = 禁用 1b = 啟用

8.8 DEVICE_ID 寄存器（地址 = 7h）[復(fù)位 = 01h]

圖 8-8 展示了 DEVICE_ID，表 8-10 中對此進(jìn)行了介紹。

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圖 8-8 DEVICE_ID 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED					修訂 ID
R-0b					R-001b

表 8-10 DEVICE_ID 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-3	RESERVED	R	0b	保留
2-0	修訂 ID	R	001b	指示器件修訂版本號 001b = 1st revision

8.9 INT_MASK 寄存器（地址 = 8h）[復(fù)位 = 00h]

圖 8-9 展示了 INT_MASK，表 8-11 中對此進(jìn)行了介紹。

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中斷屏蔽寄存器。當(dāng)屏蔽中斷時，中斷引腳不指示中斷，但中斷寄存器仍會更新以指示中斷。

圖 8-9 INT_MASK 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TSD_INT_MASK	WU_INT_MASK	DO_FAULT_INT_MASK	CQ_FAULT_INT_MASK	LPW_INT_MASK	RESERVED	UV_V5_INT_MASK	TEMP_WARN_MASK
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 8-11 INT_MASK 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7	TSD_INT_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽
6	WU_INT_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽
5	DO_FAULT_INT_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽
4	CQ_FAULT_INT_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽
3	LPW_INT_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽
2	RESERVED	R	0b	保留
1	UV_V5_INT_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽
0	TEMP_WARN_MASK	R/W	0b	0b =中斷激活 1b = 中斷已被屏蔽

8.10 RESET_CONFIG 寄存器（地址 = 9h）[復(fù)位 = 00h]

圖 8-10 展示了 RESET_CONFIG，表 8-12 中對此進(jìn)行了介紹。

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配置 RESET 引腳的行為

圖 8-10 RESET_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESET_SEL		RESET_POL	RESERVED
R/W-00b		R-0b	R-0b

表 8-12 RESET_CONFIG 寄存器字段說明

位	字段	類型	復(fù)位	說明
7-6	RESET_SEL	R/W	00b	選擇哪些事件會激活復(fù)位輸出 00b = UVLP 和 UVOUT 01b = UVLP 10b = UVOUT 11b = 保留
5	RESET_POL	R	0b	在復(fù)位輸出時，選擇配置為低電平有效還是高電平有效 0b =引腳輸出低電平（低電平有效） 1b =引腳輸出高電平（高電平有效）
4-0	RESERVED	R	0b	保留