ZHCSTJ2B October 2023 – February 2026 TPS3762-Q1
PRODUCTION DATA
任何封裝的允許功率耗散可衡量器件將熱量從電源（IC 的接合點(diǎn)）傳遞到周?chē)h(huán)境的最終散熱器的能力。因此，功率耗散取決于環(huán)境溫度以及芯片結(jié)與環(huán)境空氣之間各種接口上的熱阻。
給定封裝內(nèi)器件的最大允許持續(xù)功率耗散可使用方程式 10 計(jì)算：
器件中耗散的實(shí)際功率可通過(guò)方程式 11 表示：
pRESET 可通過(guò)方程式 12 或方程式 13 計(jì)算得出
方程式 10 和方程式 11 建立了出于散熱考慮所導(dǎo)致的最大允許功率耗散、器件上的壓降和器件的持續(xù)電流能力之間的關(guān)系。必須使用這兩個(gè)公式來(lái)確定器件在應(yīng)用中的理想工作條件。
在功率耗散 (PD) 較低和/或封裝熱阻 (RθJA) 較高的應(yīng)用中，可以提高最高環(huán)境溫度 (TA-MAX)。
在功率耗散較大或封裝熱阻較差的應(yīng)用中，最高環(huán)境溫度 (TA-MAX) 可能需要降額。如方程式 14 所示，TA-MAX 取決于最高工作結(jié)溫 (TJ-MAX-OP = 125°C)、應(yīng)用中器件封裝允許的最大功率耗散 (PD-MAX) 以及應(yīng)用中器件或/封裝的結(jié)至環(huán)境熱阻 (RθJA)：