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ZHCSTJ2B October 2023 – February 2026 TPS3762-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDF|8
- MPDS569D

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.6 開關(guān)要求

條件為 V_DD(MIN) ≤ V_DD ≤ V_DD_(MAX)、CTR = CTS = 開路、輸出 RESET 上拉電阻器 R_PU = 10kΩ、電壓 V_PU= 5.5V、輸出 BIST 上拉電阻器 R_{PU_BIST} = 10kΩ、電壓 V_{PU_BIST}= 5.5V 且負(fù)載 C_LOAD = 10pF。自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍為 T_A = –40℃ 至 125℃（除非另有說明）。典型值為 T_A = 25°C、V_DD = 12V，且 V_IT = 6.5V (V_IT 指的是 V_ITN 或 V_ITP)。

參數(shù)		測試條件	典型值	最大值	單位
通用開關(guān)要求
t_{CTR（無電容）}	RESET 釋放延時(shí)時(shí)間 (CTR) ⁽¹⁾	VIT = 800mV C_CTR = 開路相對于遲滯 20% 過驅(qū)	350	600	μs
t_{CTR（無電容）}	RESET 釋放延時(shí)時(shí)間 (CTR) ⁽¹⁾D	VIT = 2.7V 至 65V C_CTR = 開路相對于遲滯 20% 過驅(qū)		670	μs
t_pd	CTS = 禁用⁽⁵⁾	VITP = 800mV V_IT 產(chǎn)生 20% 過驅(qū)	1.2	3	μs
t_pd	CTS = 禁用⁽⁵⁾	VITN = 800mV V_IT 產(chǎn)生 20% 過驅(qū)	2	5	μs
t_pd	CTS = 禁用	VITP = 2.7V 至 65V V_IT 產(chǎn)生 20% 過驅(qū)	10	36	μs
t_pd	CTS = 禁用	VITN = 2.7V 至 65V V_IT 產(chǎn)生 20% 過驅(qū)	10	36	μs
t_CTS	感測檢測延時(shí)時(shí)間 (CTS)⁽²⁾ ⁽⁴⁾	VIT = 800mV C_CTS = Open V_IT 產(chǎn)生 20% 過驅(qū)	85	100	μs
t_CTS	感測檢測延時(shí)時(shí)間 (CTS)⁽²⁾ ⁽⁴⁾	VIT = 2.7V 至 65V C_CTS = 開路 V_IT 產(chǎn)生 20% 過驅(qū)	85	120	μs
t_SD	啟動延遲 ⁽³⁾	C_CTR = 開路	1		ms
BIST 開關(guān)要求
t_{BIST_en_pd}	BIST_EN 上升沿至 BIST 置為有效		2.3		μs
t_{BIST_en_pd}	BIST_EN 上升沿至 RESET 置為有效		2.3		μs
t_{BIST_recover}	BIST 上升沿至 SENSE 有效輸入	C_CTR = 開路，BIST = 啟用	350	600	μs
t_BIST	BIST 運(yùn)行時(shí)間			3.5	ms
t_SD+BIST	包含 BIST 運(yùn)行時(shí)間的啟動時(shí)間			4.5	ms
LATCH 開關(guān)要求
t_{BIST_EN/LATCH_CLR_Recover}	BIST 上升沿至 SENSE 有效輸入	C_CTR = 開路，BIST = 禁用	10		μs

(1) CTR 復(fù)位檢測延時(shí)時(shí)間：
過壓低電平有效輸出測量范圍為 V_{ITP - HYS} 至 V_OH
欠壓低電平有效輸出測量范圍為 V_{ITN + HYS} 至 V_OH

(2) CTS 感測檢測延時(shí)時(shí)間：
過壓低電平有效輸出測量范圍為 V_ITP 至 V_OL
欠壓低電平有效輸出測量范圍為 V_ITN 至 V_OL

(3) 在上電序列期間，在輸出基于 V_SENSE 處于正確狀態(tài)之前，V_DD 必須達(dá)到或高于 V_DD(MIN) 并至少維持 t_{SD+BIST +}t_CTR 的時(shí)間。
t_SD 時(shí)間包括傳播延遲（C_CTR = 開路）CTR 上的電容器會增加 t_SD 時(shí)間。

(4) C_CTS = 開路假設(shè)引腳上存在低于 20pF 的寄生電容。

(5) 此參數(shù)根據(jù)設(shè)計(jì)或表征確定，而未經(jīng)生產(chǎn)測試。