ZHCSTS9B December 2024 – July 2025 TPS4HC120-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
方法 1:阻斷二極管與 VBB 相連。極性相反時(shí),器件和負(fù)載均受到保護(hù)。在電池反向條件下,阻斷二極管不允許任何電流流動(dòng)。
方法 2(接地網(wǎng)絡(luò)保護(hù)):在此連接下,只有高側(cè)器件受到保護(hù)。負(fù)載反向電流受負(fù)載阻抗的限制。當(dāng)發(fā)生反極性時(shí),通過(guò)功率 FET 的持續(xù)反向電流不得使產(chǎn)生的熱量大于絕對(duì)最大結(jié)溫。器件溫度可以使用 RON(REV) 值和 RθJA 規(guī)格來(lái)計(jì)算。在電池反向的情況下,確保 FET 開(kāi)啟以降低功率耗散。此操作是通過(guò)從 EN 到施加正電壓的系統(tǒng)接地的路徑實(shí)現(xiàn)的。無(wú)論器件 GND 和電路板 GND 之間采用何種連接類型,如果發(fā)生 GND 電壓偏移,請(qǐng)確保以下連接正確才能正常運(yùn)行:
如果使用多個(gè)高側(cè)電源開(kāi)關(guān),則可在器件間共享電阻器。

其中