ZHCSTS9B December 2024 – July 2025 TPS4HC120-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
訂購(gòu)信息
7.3.5 電感負(fù)載關(guān)斷鉗位
斷開(kāi)電感負(fù)載時(shí)，電感電抗會(huì)導(dǎo)致輸出電壓趨于負(fù)值。過(guò)高的負(fù)電壓會(huì)導(dǎo)致功率 FET 損壞。為了保護(hù)功率 FET，器件在漏極和源極之間實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部鉗位功能，即 VDS(clamp)。
在消磁期間 (tdecay)，功率 FET 導(dǎo)通以進(jìn)行電感能量耗散?？偰芰吭诟邆?cè)開(kāi)關(guān)中耗散?？偰芰堪娫吹哪芰?(E(VS)) 和負(fù)載的能量 (E(load))。如果電阻與電感串聯(lián)，則部分負(fù)載能量會(huì)在電阻中耗散。
當(dāng)電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)，E(HSS) 會(huì)在器件上引起高熱應(yīng)力。功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板耗散。
圖 7-10 漏源鉗位結(jié)構(gòu)
圖 7-11 電感負(fù)載關(guān)斷圖從高側(cè)開(kāi)關(guān)的角度來(lái)看，E(HSS) 等于消磁期間的積分值。
當(dāng) R 大概等于 0 時(shí)，E(HSD) 可簡(jiǎn)單地表示為：
對(duì)于 PWM 控制的電感負(fù)載，建議添加如圖 7-12 所示的外部續(xù)流電路，以保護(hù)器件免受重復(fù)性功率應(yīng)力的影響。TVS 用于實(shí)現(xiàn)快速衰減。另請(qǐng)參閱圖 7-12。
圖 7-12 通過(guò)外部電路提供保護(hù)