ZHCSL06E February 2008 – September 2025 TPS51200
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 灌電流和拉電流穩(wěn)壓器（VO 引腳）
- 6.3.2 基準(zhǔn)輸入（REFIN 引腳）
- 6.3.3 基準(zhǔn)輸出（REFOUT 引腳）
- 6.3.4 軟啟動(dòng)序列
- 6.3.5 使能控制（EN 引腳）
- 6.3.6 電源正常功能（PGOOD 引腳）
- 6.3.7 電流保護(hù)（VO 引腳）
- 6.3.8 UVLO 保護(hù)（VIN 引腳）
- 6.3.9 熱關(guān)斷
- 6.3.10 跟蹤啟動(dòng)和關(guān)閉
- 6.3.11 VTT DIMM 應(yīng)用的輸出容差注意事項(xiàng)
- 6.3.12 DDR2 應(yīng)用的 REFOUT (VREF) 考慮因素
- 6.4 器件功能模式
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購(gòu)信息
7.2.3 應(yīng)用曲線
圖 7-2 顯示了 TPS51200 器件 DDR3 設(shè)計(jì)示例的波德圖仿真。
單位增益帶寬約為 1MHz，相位裕度為 52°。由于 ESL 效應(yīng)，當(dāng)超過 0dB 電平時(shí)，增益達(dá)到峰值。然而，峰值保持在遠(yuǎn)低于 0dB 的水平。
圖 7-3 顯示了典型 DDR3 配置的負(fù)載調(diào)整率，圖 7-4 顯示了其瞬態(tài)響應(yīng)。當(dāng)穩(wěn)壓器承受 ±1.5A 負(fù)載階躍并釋放時(shí)，輸出電壓測(cè)量結(jié)果顯示直流和交流條件之間沒有差異。
| VIN = 3.3V | VVLDOIN = 1.5V | VVO = 0.75 V | |
| IIO = 2A | 3 × 10μF 電容器 | ESR = 2.5m? | |
| ESL = 800pH |
| VVIN = 3.3V | DDR3 |
圖 7-4 瞬態(tài)波形