ZHCSL06E February 2008 – September 2025 TPS51200
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 灌電流和拉電流穩(wěn)壓器（VO 引腳）
- 6.3.2 基準(zhǔn)輸入（REFIN 引腳）
- 6.3.3 基準(zhǔn)輸出（REFOUT 引腳）
- 6.3.4 軟啟動(dòng)序列
- 6.3.5 使能控制（EN 引腳）
- 6.3.6 電源正常功能（PGOOD 引腳）
- 6.3.7 電流保護(hù)（VO 引腳）
- 6.3.8 UVLO 保護(hù)（VIN 引腳）
- 6.3.9 熱關(guān)斷
- 6.3.10 跟蹤啟動(dòng)和關(guān)閉
- 6.3.11 VTT DIMM 應(yīng)用的輸出容差注意事項(xiàng)
- 6.3.12 DDR2 應(yīng)用的 REFOUT (VREF) 考慮因素
- 6.4 器件功能模式
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購信息
7.5.3 散熱設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
由于 TPS51200 是線性穩(wěn)壓器，因此 VO 電流在拉電流和灌電流兩個(gè)方向流動(dòng)，從而耗散器件的功率。當(dāng)器件拉取電流時(shí)，方程式 5 所示的電壓差可計(jì)算功率耗散。
在這種情況下，如果 VLDOIN 引腳連接到低于 VDDQ 電壓的替代電源，則可以降低總體功率損耗。在灌電流階段，器件會(huì)在內(nèi)部 LDO 穩(wěn)壓器上施加 VO 電壓。方程式 6 計(jì)算功率耗散，PD_SNK 可以通過以下公式計(jì)算。
由于該器件不會(huì)同時(shí)灌入和拉取電流，I/O 電流可能隨時(shí)間快速變化，因此實(shí)際功率耗散應(yīng)為系統(tǒng)熱弛豫持續(xù)時(shí)間內(nèi)上述耗散的時(shí)間平均值。VIN 電源和 VLDOIN 電源的內(nèi)部電流控制電路使用的電流是其他功耗源。在正常運(yùn)行條件下，該功耗可估算為 5mW 或更低，并且必須有效地從封裝中耗散。
封裝允許的最大功耗由方程式 7 計(jì)算得出。
其中
- TJ(max) 為 125°C
- TA(max) 是系統(tǒng)中的最高環(huán)境溫度
- θJA 是結(jié)至環(huán)境的熱阻
在將器件安裝在 PCB 上的應(yīng)用中，TI 強(qiáng)烈建議使用 ψJT 和 ψJB，如半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo) 應(yīng)用報(bào)告 SPRA953 中有關(guān)估算結(jié)溫的部分所述。使用節(jié) 5.4表中所示的熱指標(biāo) ψJT 和 ψJB，可以用相應(yīng)的公式（在方程式 8 中給出）估算結(jié)溫。為了方便向后兼容，還列出了較舊的 θJC 頂部參數(shù)規(guī)格。
其中
TT 和 TB 都可以使用測溫儀（紅外溫度計(jì)）在實(shí)際應(yīng)用板上測得。有關(guān)測量 TT 和 TB 的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告使用新的熱指標(biāo) (SBVA025)。
圖 7-12 建議的焊盤圖案
圖 7-13 封裝熱測量