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ZHCSU07A September 2024 – October 2025 TPS548B23

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

VAN|19
- MPQF803A

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.3.3.2 多功能配置 (CFG1-2) 引腳（外部反饋）

當使用 CFG 3-5 引腳將器件配置為外部反饋運行時（請參閱表 6-4），可通過在 CFG1-2 引腳和 AGND 之間連接電阻器對開關頻率、故障恢復模式、過流閾值和軟啟動時間進行編程。為在器件工作范圍內(nèi)進行精確檢測，需要一個具有 ±100ppm/°C 典型溫度系數(shù)的 ±1% 容差電阻器。

根據(jù)下面的表格，在 CFG1 引腳和 AGND 之間連接一個電阻器，對開關頻率、故障恢復模式和軟啟動時間進行編程：

表 6-3 CFG1 引腳選擇表（外部反饋配置）

CFG1 引腳到 AGND 的電阻 (kΩ)	開關頻率 (f_SW) (kHz)⁽¹⁾	故障恢復模式	軟啟動時間 (ms)
0 (GND)	600	斷續(xù)	1
4.99	800	斷續(xù)	1
7.50	1000	斷續(xù)	1
10.5	1200	斷續(xù)	1
13.3	600	鎖存	1
16.9	800	鎖存	1
21.0	1000	鎖存	1
24.9	1200	鎖存	1
30.1	600	斷續(xù)	2
35.7	800	斷續(xù)	2
42.2	1000	斷續(xù)	2
48.7	1200	斷續(xù)	2
56.2	600	鎖存	2
64.9	800	鎖存	2
75.0	1000	鎖存	2
86.6	1200	鎖存	2
102	600	斷續(xù)	3
118	800	斷續(xù)	3
137	1000	斷續(xù)	3
158	1200	斷續(xù)	3
182	600	鎖存	3
210	800	鎖存	3
243	1000	鎖存	3
≥280 (FLOAT)	1200	鎖存	3

(1) 開關頻率基于 3.3V 輸出電壓。頻率隨輸出電壓而變化。

根據(jù)方程式 4，通過 CFG2 和 AGND 之間的電阻器 (R_ILIM) 對谷值過流保護進行編程。

方程式 3.

I_{L I M_V A L L E Y} = \frac{K_{O C L}}{R_{I L I M}}

方程式 4.

R_{I L I M} = \frac{K_{O C L}}{I_{L I M_V A L L E Y}}

其中

I_{LIM_VALLEY} 是負載電流的谷值電流限制閾值（單位為 A）
R_ILIM 是 ILIM 電阻值（單位為 Ω）
K_OCL 是用于該計算的 91.2 × 10³ 常數(shù)

此外，使用方程式 6 來計算給定 I_{LIM_VALLEY} 設置下的最大輸出電流。

方程式 5.

I_{O U T_M A X} = I_{L I M_V A L L E Y} + \frac{1}{2} \times I_{R I P P L E}

方程式 6.

I_{O U T_M A X} = I_{L I M_V A L L E Y} + \frac{1}{2} \times \frac{(V_{I N} - V_{O}) \times V_{O}}{V_{I N}} \times \frac{1}{L \times f_{S W}}

其中

I_{OUT_MAX} 是最大輸出電流（單位為 A）
I_{LIM_VALLEY} 是負載電流的谷值電流限制閾值（單位為 A）
V_IN 是輸入電壓值（單位為 V）
V_O 是輸出電壓值（單位為 V）
L 是輸出電感值（單位為 μH）
f_SW 是開關頻率（單位為 MHz）

注： TI 建議使用容差為 ±1% 的電阻，因為容差較差的電阻提供的 OCL 閾值精度較低。

為了保護該器件以免意外連接到 ILIM 引腳上，該器件實現(xiàn)了一個內(nèi)部固定 OCL 鉗位。當 ILIM 引腳的電阻對于 AGND 而言過小或意外短接至接地端時，該內(nèi)部 OCL 鉗位會將低側 MOSFET 上的最大谷值電流限制為 21A。