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ZHCSU07A September 2024 – October 2025 TPS548B23

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

VAN|19
- MPQF803A

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.2.2.5 選擇輸入電容器 (C_IN)

該器件要求在兩對 VIN 和 PGND 引腳之間使用輸入旁路電容器來旁路掉功率級。在布局允許的情況下，旁路電容器必須盡可能靠近 IC 的引腳放置。至少需要標(biāo)稱值為 20μF 的陶瓷電容和兩個高頻陶瓷旁路電容器。必須盡可能靠近器件電路板同一側(cè)的 VIN 引腳 4 和 12 放置一個 0.1μF 至 1μF 電容器，以提供所需的高頻旁路，從而減少 VIN 和 SW 引腳功率級上的高頻過沖和下沖。TI 建議至少將 1μF 的旁路電容盡可能靠近每個 VIN 引腳，從而盡可能減少輸入電壓紋波。陶瓷電容器必須采用 X6S 或更高質(zhì)量的電介質(zhì)來實現(xiàn)高電容體積比，并在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定特性。除此要求外，根據(jù)應(yīng)用的不同，輸入端可能需要更大的大容量電容，以便盡可能減小瞬態(tài)條件下輸入電壓的變化。

使用方程式 25 計算滿足特定輸入紋波目標(biāo)所需的輸入電容。建議的目標(biāo)輸入電壓紋波為最小輸入電壓的 5%，在本例中為 780mV。計算得出的輸入電容為。本例采用 2 個 10μF 陶瓷電容器，滿足這兩個要求。

方程式 25.

C_{I N} > \frac{V_{O U T} \times I_{O U T} \times (1 - \frac{V_{O U T}}{V_{I N} (m i n)})}{f_{S W} \times V_{I N} (m i n) \times V_{I N_R I P P L E}} = \frac{3.3 V \times 20 A \times (1 - \frac{3.3 V}{8 V})}{800 k H z \times 8 V \times 780 m V} = 7.8 μ F

此外，電容器的 RMS 電流等級還必須大于應(yīng)用中的最大輸入 RMS 電流。使用方程式 27 可以計算輸入電容器必須支持的輸入 RMS 電流。在本示例中，結(jié)果為 9.9A。陶瓷輸入電容器的額定電流大于此值。

方程式 26.

I_{C I N (R M S)} = \sqrt{\frac{V_{O U T}}{V_{I N} (m i n)} \times (\frac{(V_{I N} (m i n) - V_{O U T})}{V_{I N} (m i n)} \times {I_{O U T}}^{2} + \frac{{I_{R I P P L E}}^{2}}{12})}

方程式 27.

I_{C I N (R M S)} = \sqrt{\frac{3.3 V}{8 V} \times (\frac{(8 V - 3.3 V)}{8 V} \times 20^{2} + \frac{{5.95}^{2}}{12})} = 9.9 A

對于需要大容量輸入電容的應(yīng)用，例如具有低輸入電壓和大電流的應(yīng)用，TI 建議使用如何選擇降壓轉(zhuǎn)換器的輸入電容器 模擬設(shè)計期刊中的選型過程。

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.2.2.5 選擇輸入電容器 (CIN)

7.2.2.5 選擇輸入電容器 (C_IN)