ZHCSSS3B March 2025 – February 2026 TPS7H5020-SEP , TPS7H5020-SP , TPS7H5021-SEP , TPS7H5030-SEP
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸入電壓 (VIN) 和 VLDO
- 7.3.2 驅動器輸入電壓 (PVIN)
- 7.3.3 啟動
- 7.3.4 使能和欠壓鎖定 (UVLO)
- 7.3.5 電壓基準
- 7.3.6 誤差放大器
- 7.3.7 輸出電壓編程
- 7.3.8 軟啟動 (SS)
- 7.3.9 開關頻率和外部同步
- 7.3.10 占空比限制
- 7.3.11 最小導通時間和關斷時間
- 7.3.12 脈沖跳躍
- 7.3.13 前沿消隱時間
- 7.3.14 電流傳感和 PWM 生成 (CS_ILIM)
- 7.3.15 柵極驅動器輸出
- 7.3.16 未上電的電壓鉗位
- 7.3.17 拉電流驅動器回路 (OUTH_REF)
- 7.3.18 斜率補償 (RSC)
- 7.3.19 頻率補償
- 7.3.20 熱關斷
- 7.4 器件功能模式
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
7.3.2 驅動器輸入電壓 (PVIN)
TPS7H502x 的驅動器級的輸入電壓范圍為 4.5V 至 14V。TPS7H503x 的驅動器級適應的電壓范圍為 8V 至 14V。該器件 OUT 引腳上提供的電壓約等于 PVIN 上提供的電壓。因此，TPS7H502x 控制器能夠用于為基于硅 MOSFET 和 GaN FET 的電源轉換器設計提供適當的柵極電壓。TPS7H503x 針對基于硅 MOSFET 的設計進行了定制。對于硅 MOSFET，典型柵極電壓為 10V 至 12V。GaN 功率半導體器件通常需要 4.5V 至 6V 的柵極電壓。所需的柵極電壓取決于所選的開關器件，因此該控制器允許用戶為驅動器級提供足以滿足特定應用需求的電壓。PVIN 可直接連接至 VIN 以實現單個電源操作。此配置可用于驅動 TPS7H502x 和 TPS7H503x 的硅 MOSFET 或 TPS7H502x 的 GaN FET。在 TPS7H502x 的此設置中，建議選擇 RVT 和 RVB，以便 VLDO 為內部電路提供 5V 的電壓。有關對 VLDO 輸出進行編程的更多詳細信息，請參閱輸入電壓 (VIN) 和 VLDO。
圖 7-4 TPS7H502x 的 PVIN 到 VIN 連接的配置在 TPS7H502x 中，VLDO 還可以連接到 PVIN，以提供 4.5V 至 5.5V 的穩(wěn)壓柵極驅動電壓。對于所有控制器而言，建議在 PVIN 到 PGND 之間使用最小 1μF 的電容。對于 TPS7H502x 而言，當 PVIN 連接到 VLDO 時，這可以包括 VLDO 處所需的 1μF 電容。可以使用額外的電容，但總電容不超過 4.7μF，以保持 VLDO 穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性。
圖 7-5 TPS7H502x 的 PVIN 到 VLDO 連接的配置