| 熱指標(1) |
UCC28063 |
單位 |
| SOIC (D) |
| 16 引腳 |
| RθJA |
結(jié)至環(huán)境熱阻(2) |
91.6 |
°C/W |
| RθJC(top) |
結(jié)至外殼（頂部）熱阻(3) |
52.1 |
| RθJB |
結(jié)到電路板熱阻(4) |
48.6 |
| ψJT |
結(jié)到頂部的表征參數(shù)(5) |
14.9 |
| ψJB |
結(jié)到電路板的表征參數(shù)(6) |
48.3 |
(1) 有關(guān)新舊熱性能指標的更多信息，請參閱
半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標 應(yīng)用報告 (
SPRA953)。
(2) 在 JESD51-2a 描述的環(huán)境中，按照 JESD51-7 的規(guī)定，在一個 JEDEC 標準高 K 電路板上進行仿真，從而獲得自然對流條件下的結(jié)至環(huán)境熱阻抗。
(3) 通過在封裝頂部模擬一個冷板測試來獲得結(jié)至芯片外殼（頂部）的熱阻。不存在特定的 JEDEC 標準測試，但可在 ANSI SEMI 標準 G30-88 中找到內(nèi)容接近的說明。
(4) 結(jié)至板熱阻，可按照 JESD51-8 中的說明在使用環(huán)形冷板夾具來控制 PCB 溫度的環(huán)境中進行仿真來獲得。
(5) 結(jié)點至頂部特性參數(shù) ψJT 估算器件在實際系統(tǒng)中的結(jié)溫，可通過 JESD51-2a（第 6 節(jié)和第 7 節(jié)）介紹的步驟從獲得 RθJA 的仿真數(shù)據(jù)中獲取該溫度。
(6) 結(jié)點至電路板特性參數(shù) ψJB 估算器件在實際系統(tǒng)中的結(jié)溫，可通過 JESD51-2a（第 6 節(jié)和第 7 節(jié)）介紹的步驟從獲得 RθJA 的仿真數(shù)據(jù)中獲取該溫度。