ZHCS446C September 2011 – July 2024 UCC28063
PRODUCTION DATA
該 IC 通過 VCC 引腳接收所有電源。在 PFC 級(jí)的所有工作條件下，該電壓還應(yīng)盡可能保持穩(wěn)定?？梢钥紤]從下游直流/直流級(jí)為該級(jí)創(chuàng)建穩(wěn)態(tài)偏置，該直流/直流級(jí)通常能夠提供電壓非常穩(wěn)定的偏置繞組。這種策略將提高生成偏壓的整體效率。一個(gè)效率較低的替代方案是考慮使用串聯(lián)的固定正電壓穩(wěn)壓器，例如 UA78L15A。
在所有正常和異常運(yùn)行條件下，VCC 都要保持在其建議的電壓和輸入電流工作范圍內(nèi)，這一點(diǎn)至關(guān)重要。VCC 過壓可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部電壓鉗位中出現(xiàn)過多的功率耗散，而欠壓可能會(huì)導(dǎo)致功率 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電平不足、UVLO 事件（導(dǎo)致 PFC 運(yùn)行中斷）或者各種片上線性穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)的余量不足。
另請(qǐng)注意，MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)所需的高 RMS 和峰值電流是通過 IC 13.5V 線性穩(wěn)壓器提供的，該穩(wěn)壓器不支持添加外部去耦電容。對(duì)于更高的功率、超高 QG 的功率 MOSFET 或高開關(guān)頻率，可以考慮靠近功率 MOSFET 使用外部驅(qū)動(dòng)器晶體管。這些將降低 IC 工作溫度并確保不會(huì)超出 VCC 最大輸入電流額定值。
在 VREF 和 AGND 之間以及 VCC 和 PGND 之間盡可能靠近 IC 放置去耦電容。這些器件應(yīng)該有一些陶瓷電容，這將提供非常低的 ESR。理想情況下，PGND 和 AGND 應(yīng)該星形連接在控制 IC 處，以便 PGND 和 AGND 之間的直流或高頻交流電壓差可以忽略不計(jì)。去耦電容器的值與 EVM 中使用的值類似或略大于這些值。
密切注意啟動(dòng)和關(guān)斷 VCC 偏置自舉電路布置，以便這些電路在施加電源期間盡早提供足夠的穩(wěn)壓偏置電源，并在移除電源期間盡可能晚地提供足夠的穩(wěn)壓偏置電源。確保這些啟動(dòng)偏置自舉電路不會(huì)導(dǎo)致不必要的穩(wěn)態(tài)功耗。