ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
CBT-C(交叉開關(guān)技術(shù) - 鉗位)系列中的開關(guān)為 NMOS 串聯(lián)開關(guān)。該系列的工作電壓 VCC 為 5V,可實(shí)現(xiàn)各種標(biāo)準(zhǔn)(例如LVCMOS、LVTTL 等)的切換。該系列還具有集成在總線開關(guān)中的下沖保護(hù)電路。下沖保護(hù)電路防止 n 溝道傳輸晶體管在開關(guān)關(guān)閉時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)發(fā)生下沖時(shí),該電路感測(cè)輸入端的負(fù)電壓并將 n 通道傳輸晶體管的柵極偏置到該負(fù)電壓。柵極和源極電壓現(xiàn)在處于相同電勢(shì)(< 0V),因此開關(guān)保持關(guān)閉。關(guān)閉開關(guān)一側(cè)的下沖保護(hù)機(jī)制可防止開關(guān)另一側(cè)高達(dá) –2V 的下沖。此系列的靜態(tài)功耗可以忽略不計(jì)。動(dòng)態(tài)功耗取決于器件使能輸入的頻率。在使能輸入端進(jìn)行高低電平轉(zhuǎn)換會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部 CMOS 反相器進(jìn)行低高電平轉(zhuǎn)換;所以,控制輸入信號(hào)頻率越高,動(dòng)態(tài)功耗越高。圖 5-1 示出了 CBT-C 中的下沖保護(hù)機(jī)制。
圖 5-1 使能輸入 (OE) 電壓為高電平時(shí) CBT-C 中的下沖保護(hù)機(jī)制