7 布局技術(shù)

遠(yuǎn)程設(shè)備使用極低電流測量極小電壓；因此必須更大限度地降低器件輸入端的噪聲。誤差源包括電磁干擾 (EMI) 或電感耦合、錯誤校準(zhǔn)和 PCB 布線電阻。為了減少誤差，請考慮以下情況：

1. 將遠(yuǎn)程器件盡可能放置在靠近遠(yuǎn)程結(jié)溫傳感器的位置
2. D+ 和 D- 布線彼此相鄰，并使用接地防護(hù)跡線為它們屏蔽附近的信號。如果使用多層 PCB，請將這些布線埋在接地平面或 V+ 平面之間，以屏蔽外部噪聲源的影響。TI 建議使用 5mil (0.127mm) PCB 布線。
3. 更大限度地減少銅線與焊料連接導(dǎo)致的額外熱電偶結(jié)點(diǎn)。如果使用這些結(jié)點(diǎn)，請?jiān)?D+ 和 D- 連接處進(jìn)行相同數(shù)量的銅線與焊料連接，并在相似位置進(jìn)行連接，以消除任何熱電偶效應(yīng)。
4. 在遠(yuǎn)程溫度傳感器的 V+ 和 GND 之間直接使用 0.1μF 的本地旁路電容器。為了實(shí)現(xiàn)最佳測量性能，應(yīng)最大限度減小 D+ 和 D- 之間的濾波器電容，達(dá)到 1000pF 或更低。此電容包括遠(yuǎn)程 BJT 和溫度傳感器之間的任何電纜電容。
5. 如果遠(yuǎn)程溫度傳感器與遠(yuǎn)程傳感器之間的連接已接線，且長度小于 8 英寸 (20.32cm)，請使用雙絞線連接。對于長度大于 8 英寸的情況，請使用屏蔽層接地的屏蔽雙絞線，盡可能靠近遠(yuǎn)程 IC 器件。使屏蔽線的遠(yuǎn)程傳感器連接端保持開路，以避免接地回路和拾取 60Hz 噪聲。
6. 徹底清潔并清除器件引腳內(nèi)部和周圍的所有焊劑殘留物，以避免由于 D+ 和 GND 之間，或 D+ 和 V+ 之間的泄漏路徑而導(dǎo)致的溫度偏移讀數(shù)。

圖 7-1 D+ 和 D- 走線的分層建議

使用多通道 EVM，收集數(shù)據(jù)以確定布線長度與溫度傳感器精度之間的比率。圖 7-2 所示的 EVM 放置在 25C 下具有受控溫度環(huán)境的油浴中。數(shù)據(jù)是通過在線 GUI 收集并在文檔中報告。遠(yuǎn)程布線使用屏蔽電纜。如本實(shí)驗(yàn)所示，導(dǎo)線長度與遠(yuǎn)程通道的精度之間未發(fā)現(xiàn)顯著關(guān)聯(lián)。噪聲仍會通過 D+ 和 D- 進(jìn)行干擾，建議遵循上述所有建議。

圖 7-2 使用多通道遠(yuǎn)程 EVM 的測試設(shè)置

圖 7-3 跨不同遠(yuǎn)程長度的誤差