ZHCU886B October 2020 – March 2022
PRODUCTION DATA
LMG342XEVM-04X 具有兩個(gè)半橋配置的 LMG342XR0X0 GaN FET。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換元件都包含在內(nèi),使低側(cè)參考信號控制兩個(gè) FET。高頻去耦電容器包含在優(yōu)化布局中的功率級,以最小化寄生電感,并降低電壓過沖。
電路板的布局對于器件的性能和功能至關(guān)重要。TI 首選四層或?qū)訑?shù)更多的電路板,以減少布局的寄生電感,實(shí)現(xiàn)適用性能。具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 LMG342xR030 600V 30m? GaN FET 數(shù)據(jù)表中提供了布局指南,以優(yōu)化焊點(diǎn)可靠性、電源環(huán)路電感、信號到地的連接、開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和散熱性能。
| EVM 名稱 | 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的特色 GaN FET |
|---|---|
| LMG3422EVM-041 | LMG3422R050 |
| LMG3422EVM-043 | LMG3422R030 |
| LMG3425EVM-041 | LMG3422R050 |
| LMG3425EVM-043 | LMG3425R030 |
LMG342XEVM-04X 上有 12 個(gè)邏輯引腳。
| 引腳 | 引腳名稱 | 說明 |
|---|---|---|
| LS PWM | 1 | 用于低側(cè) LMG342XR0X0 的邏輯門信號輸入。同時(shí)兼容 3.3V 和 5V 邏輯。以 AGND 為參考。 |
| HS TEMP | 2 | 用于高側(cè) LMG342XR0X0 的 PWM TEMP 輸出。以 AGND 為參考。 |
| LS Fault | 3 | 用于低側(cè) LMG342XR0X0 的 FAULT 輸出信號。以 AGND 為參考。 |
| HS OC | 4 | 用于高側(cè) LMG342XR0X0 的 OC 輸出信號。以 AGND 為參考。 |
| LS OC | 5 | 用于低側(cè) LMG342XR0X0 的 OC 輸出信號。以 AGND 為參考。 |
| HS Fault | 6 | 用于高側(cè) LMG342XR0X0 的 FAULT 輸出信號。以 AGND 為參考。 |
| LS Temp | 7 | 用于低側(cè) LMG342XR0X0 的 PWM TEMP 輸出。以 AGND 為參考。 |
| HS PWM | 8 | 用于高側(cè) LMG342XR0X0 的邏輯門信號輸入。同時(shí)兼容 3.3V 和 5V 邏輯。以 AGND 為參考。 |
| 12V | 9 | 在引導(dǎo)模式下配置LMG342XEVM-04X時(shí)的輔助電源輸入。在隔離電源模式下配置時(shí)不使用引腳。 |
| 5V | 10 | 用于LMG342XEVM-04X 的輔助電源輸入。用于為邏輯隔離器供電。當(dāng)在隔離電源模式下配置時(shí),用作 LMG342XR0X0 器件的輸入偏置電源。 |
| AGND | 11,12 | 邏輯和偏置電源接地回路引腳。功能上與 PGND隔離。 |
LMG342XEVM-04X 上有 6 個(gè)電源引腳。
| 引腳 | 說明 |
|---|---|
| SW | 半橋配置的開關(guān)節(jié)點(diǎn) |
| HV | 半橋配置的輸入直流電壓 |
| PGND | 半橋配置的電源接地。功能上與 AGND隔離。 |
圖 2-1 LMG342XEVM-04X 方框圖無論何時(shí)評估模塊通電后都會(huì)出現(xiàn)高壓電平。使用 EVM 時(shí)請采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施。