3 輻射EMI

雖然 TPSM33620-Q1 使用濾波元件實(shí)現(xiàn)了符合傳導(dǎo) EMI 標(biāo)準(zhǔn)的 EMC，但輻射 EMI 通常是一個棘手的問題。輻射 EMI 包括影響系統(tǒng)的發(fā)射，而不是以電氣方式連接到電位發(fā)射極。因此，輻射 EMI 的 CISPR 指南可以將頻率封裝到 1GHz 以上，并使用遠(yuǎn)離器件的敏感天線進(jìn)行測量。符合 EMC 傳導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)的器件仍可能不符合相應(yīng)的輻射標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)橛糜谠陔姎饩€路上實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo) EMC 的技術(shù)不會影響太空中電磁波的輻射噪聲。實(shí)現(xiàn)輻射 EMC 更側(cè)重于識別及限制輻射 EMI 的噪聲源的有效性。

與傳導(dǎo) EMI 一樣，輻射 EMI 的來源是降壓轉(zhuǎn)換器運(yùn)行過程中不連續(xù)的電流和電壓。如前所述，由于器件的開關(guān)特性，高 di/dt 電流會通過 CIN、Q1 和 Q2 創(chuàng)建的環(huán)路傳播。根據(jù)安培定律，環(huán)路中的時變電流會產(chǎn)生一個磁場，這個磁場是輻射 EMI 噪聲的主要來源。通過增加環(huán)路尺寸、寄生電感或電流，該環(huán)路中的磁通和磁場會被放大。

來自 SW 節(jié)點(diǎn)的高 dv/dt 環(huán)路是輻射噪聲的另一主要來源。從本質(zhì)上講，dv/dt 環(huán)路會產(chǎn)生一個在空間中傳播的電場。SW 節(jié)點(diǎn)和接地之間的寄生電容會在 SW 波形中產(chǎn)生不必要的電壓尖峰，從而進(jìn)一步加劇輻射噪聲。圖 3-1 顯示了負(fù)責(zé)降壓轉(zhuǎn)換器發(fā)出的輻射 EMI 的 di/dt 和 dv/dt 信號。