降低高 di/dt 信號(hào)產(chǎn)生的輻射 EMI 的主要方法之一是減小 CIN、Q1、Q2 及 GND 追溯的面積。由于降壓模塊已在 IC 中集成了 MOSFET 和電感器，因此可以布線以減小電流環(huán)路面積的唯一關(guān)鍵元件是 VIN 電容器。VIN 電容器是為應(yīng)用提供濾波的第一道防線，可抵御器件的高 di/dt 環(huán)路。此外，低容值電容器（100nF 范圍內(nèi)）在高頻下提供低阻抗路徑，以便將有問題的噪聲接地。對(duì)于 TPSM33620-Q1 布局，低值電容器布置在器件下方，因?yàn)檫@種放置方式經(jīng)證明是 VIN 高頻電容器的最短電流環(huán)路和最小電感路徑。此外，將兩個(gè)電容器并聯(lián)，以便進(jìn)一步降低電流環(huán)路這一部分的電感。較大的電容器放置在電路板頂部和底部的并聯(lián)配置中，以幫助對(duì)低頻噪聲進(jìn)行去耦，使其盡可能靠近降壓轉(zhuǎn)換器引腳。總之，TPSM33620-Q1 EMI EVM 上的電容器組合提供了一個(gè)良好、短的去耦路徑，有助于限制整個(gè)器件中輻射 EMI 的傳播。