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功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
ISO5851-Q1
- 適用于汽車電子 標準
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結(jié)果:
- 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環(huán)境運行溫度范圍
- 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
- 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6
- 在 VCM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
- 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
- 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
110ns（最大值） - 2A 有源米勒鉗位
- 輸出短路鉗位
- 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警，并通過 RST 復(fù)位
- 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
- 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
- 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
- 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
- 互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
- 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
- 可承受的浪涌隔離電壓達 12800VPK”
- 安全及管理認證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增強型隔離
- 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5700 VRMS 隔離
- CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標準
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
- GB4943.1-2011 CQC 認證
- 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認證并規(guī)劃進行 CSA 認證
應(yīng)用
- 隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 驅(qū)動器：
- 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
- 工業(yè)電機控制驅(qū)動
- 工業(yè)電源
- 太陽能逆變器
- 感應(yīng)加熱
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ISO5851-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。
內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態(tài)。當檢測到 DESAT 時，柵極驅(qū)動器輸出會被拉低為 VEE2 電勢，從而將 IGBT 立即關(guān)斷。
當發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如需了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。All trademarks are the property of their respective owners.
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。
當發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖?；否則，該輸出為高電平。
ISO5851-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 125°C。
技術(shù)文檔
| 頂層文檔 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | ISO5851-Q1 具有有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 最新英語版本 (Rev.A) | PDF | HTML | 2016年 11月 11日 |
| 證書 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Z) | 2026年 1月 8日 | ||||
| 證書 | UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) | 2025年 9月 8日 | ||||
| 證書 | TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) | 2025年 8月 15日 | ||||
| 應(yīng)用手冊 | 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當?shù)谋Ｗo方法 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 1月 8日 | |
| 用戶指南 | 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平臺的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半橋 EVM 用戶指南 | PDF | HTML | 英語版 | 2023年 9月 5日 | ||
| 證書 | ISO5451 CQC Certificate of Product Certification | 2023年 8月 16日 | ||||
| 應(yīng)用簡報 | 柵極驅(qū)動電路中鐵氧體磁珠的使用和優(yōu)勢 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2022年 11月 14日 | |
| 證書 | CSA Certification (Rev. Q) | 2021年 6月 14日 | ||||
| 應(yīng)用簡報 | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡報 | 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用手冊 | Isolation Glossary (Rev. A) | 2017年 9月 19日 | ||||
| 應(yīng)用手冊 | 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) | 2008年 10月 16日 |
設(shè)計與開發(fā)
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ISO5851EVM — ISO5851 評估模塊 (EVM)
該評估模塊采用 ISO5851 增強型隔離式柵極驅(qū)動器器件，可讓設(shè)計人員通過預(yù)填充的 1-nF 負載或采用標準 TO-247 或 TO-220 封裝的用戶安裝型 IGBT 來評估器件的交流和直流性能。
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具
借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?
在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
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