主頁 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

UCC21750-Q1

正在供貨

適用于 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內(nèi)部鉗位的汽車級(jí) 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
    • 器件 CDM ESD 分級(jí)等級(jí) C3
  • 高達(dá) 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD – VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間的 DESAT 保護(hù)
  • 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時(shí)的 400mA 軟關(guān)斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應(yīng)
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報(bào) FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用和禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達(dá) 5V 過沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130 ns（最大）傳播延遲和 30 ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)型絕緣
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
    • 器件 CDM ESD 分級(jí)等級(jí) C3
  • 高達(dá) 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD – VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間的 DESAT 保護(hù)
  • 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時(shí)的 400mA 軟關(guān)斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應(yīng)
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報(bào) FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用和禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達(dá) 5V 過沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130 ns（最大）傳播延遲和 30 ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)型絕緣
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃

UCC21750-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá) 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。 UCC21750-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過 SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21750-Q1 包括先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地感測溫度或電壓，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

UCC21750-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá) 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。 UCC21750-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過 SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21750-Q1 包括先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地感測溫度或電壓，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

申請(qǐng)了解更多信息

可提供 UCC21750-Q1 安全手冊(cè)和安全時(shí)基故障率報(bào)告。立即申請(qǐng)

您可能感興趣的相似產(chǎn)品

功能優(yōu)于所比較器件的普遍直接替代產(chǎn)品
UCC21755-Q1 正在供貨 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離式感應(yīng)功能的汽車級(jí) ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器 5-V DESAT version that enables faster short circuit protection for SiC FET, which is critical to prevent SiC FET destruction
功能與比較器件相同，且具有相同引腳
UCC21759-Q1 正在供貨 適用于 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內(nèi)部鉗位的汽車級(jí) 3.0kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 Basic isolation

技術(shù)文檔

star =有關(guān)此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 17
頂層文檔 類型 標(biāo)題 格式選項(xiàng) 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 UCC21750-Q1適用于 SiC/IGBT 并具有主動(dòng)保護(hù)、隔離式模擬感應(yīng)和高 CMTI 的 10A 拉電流/灌電流增強(qiáng)型隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2023年 11月 10日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026年 3月 10日
白皮書 不同 SiC MOSFET 短路保護(hù)方法的綜合分析 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 20日
應(yīng)用手冊(cè) 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)方法 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
應(yīng)用簡報(bào) 我的設(shè)計(jì)是否需要米勒鉗位？ PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 6日
白皮書 ??? ? ?? ??? ???? ?? ?? ??? ??? ??? ?? ??? ?? (Rev. C) PDF | HTML 2024年 5月 16日
白皮書 以可靠且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的隔離技術(shù)解決高電壓設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) (Rev. C) PDF | HTML 2024年 3月 7日
白皮書 利用可靠且性價(jià)比高的隔離技術(shù)應(yīng)對(duì)高電壓設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 2月 22日
應(yīng)用手冊(cè) 驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)（DESAT）應(yīng)用指導(dǎo) 2024年 1月 3日
用戶指南 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平臺(tái)的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半橋 EVM 用戶指南 PDF | HTML 英語版 2023年 9月 5日
證書 UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 2023年 6月 7日
應(yīng)用簡報(bào) 柵極驅(qū)動(dòng)電路中鐵氧體磁珠的使用和優(yōu)勢 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
證書 UCC21750QDWEVM-054 EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 8月 24日
設(shè)計(jì)指南 具有熱敏二極管和感應(yīng) FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì) 英語版 2020年 1月 17日
應(yīng)用手冊(cè) Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020年 1月 16日
用戶指南 UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 2019年 9月 9日
應(yīng)用簡報(bào) Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購 TI 產(chǎn)品有疑問，請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????

視頻