ZHCSMW5 February 2021 BQ25303J
PRODUCTION DATA
圖 7-1 RTE 封裝 16 引腳 WQFN 頂視圖| 引腳 | I/O(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| VBUS | 1 | P | 充電器輸入電壓。內(nèi)部 N 溝道反向阻斷 MOSFET (RBFET) 連接在 VBUS 和 PMID 之間,同時 VBUS 位于源極。在 VBUS 和 GND 之間放置一個 2.2uF 陶瓷電容器,使之盡可能靠近 IC。 |
| PMID | 16 | P | 連接至反向阻斷 MOSFET (RBFET) 的漏極和高側(cè) MOSFET (HSFET) 的漏極。在 PMID 至 GND 之間放置陶瓷 10μF 電容器,使之盡可能靠近 IC。 |
| SW | 13、14 | P | 開關(guān)節(jié)點。連接至輸出電感器。在內(nèi)部,SW 連接至 N 溝道 HSFET 的源極和 N 溝道 LSFET 的漏極。在 SW 和 BTST 之間連接 0.047μF 自舉電容器。 |
| BTST | 15 | P | 高側(cè) FET 驅(qū)動器電源。在內(nèi)部,BTST 連接至內(nèi)部自舉二極管的陰極。在 SW 和 BTST 之間連接 0.047μF 自舉電容器。 |
| GND | 11、12 | P | 接地。直接連接至頂層的散熱焊盤。建議在電源地和 IC GND 引腳附近的模擬地之間進行單點連接。 |
| REGN | 2 | P | 低側(cè) FET 驅(qū)動器正電源輸出。在 REGN 和 GND 之間連接一個 2.2μF 陶瓷電容器。電容器應(yīng)靠近 IC 放置。 |
| BAT | 10 | AI | 電池電壓檢測輸入。將該引腳連接至電池包的正極端子和電感器輸出端子的節(jié)點。建議將 10μF 電容器連接至此引腳。 |
| TS | 7 | AI | 電池溫度電壓輸入。連接一個負溫度系數(shù)熱敏電阻 (NTC)。使用 REGN 和 TS 以及 TS 和 GND 之間的電阻分壓器設(shè)置溫度窗口。當 TS 引腳電壓超出范圍時,充電暫停。不使用 TS 引腳時,在 REGN 和 TS 之間連接一個 10kΩ 電阻器,并且在 TS 和 GND 之間連接一個 10kΩ 電阻器。建議使用 103AT-2 熱敏電阻。 |
| ICHG | 4 | AI | 充電電流程序輸入。在該引腳和接地之間連接一個 1% 電阻器 RICHG,以便將充電電流編程為 ICHG = KICHG / RICHG (KICHG = 40,000)。該引腳上不允許連接任何電容器。當 ICHG 引腳被拉至接地或保持開路時,充電器會停止開關(guān)且 STAT 引腳開始閃爍。 |
| STAT | 3 | AO | 充電狀態(tài)指示輸出。該引腳是開漏輸出。通過限流電阻器和 LED 將該引腳連接至 REGN。STAT 引腳指示充電器狀態(tài)如下:
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| VSET | 9 | AI | 充電電壓設(shè)定輸入。VSET 引腳可設(shè)置電池充電電壓。使用從 VSET 到 GND 的電阻器下拉,進行電池穩(wěn)壓電壓編程:
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| POL | 5 | AI | EN 引腳極性選擇。 |
| EN | 6 | AI | 器件禁用輸入。在 POL 引腳懸空的情況下,EN 引腳懸空或拉低時,會啟用器件,如果 EN 引腳被拉高,則會禁用器件。在 POL 引腳接地的情況下,EN 引腳拉高時,會啟用器件,EN 引腳拉低或懸空時,會禁用器件。 |
| NC | 8 | - | 無連接。保持該引腳懸空或接地。 |
| 散熱焊盤 | 17 | - | 器件的接地基準,也是用于傳導(dǎo)器件熱量的散熱焊盤。此連接有兩個用途。第一個用途是為器件提供電氣接地連接。第二個用途是提供一條從器件芯片到 PCB 的低熱阻抗路徑。該散熱焊盤應(yīng)該在外部連接至接地層。接地層通過散熱焊盤下的過孔連接至散熱焊盤。 |