ZHCSMW5 February 2021 BQ25303J
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 靜態(tài)電流 | ||||||
| IVBUS_REVS | 從 BAT/SW 到 VBUS 的 VBUS 反向電流，TJ = -40°C 至 85°C | VBAT = VSW = 4.5V，VBUS 短接至 GND，測量 VBUS 反向電流 | 0.07 | 3 | μA | |
| IQ_VBUS_DIS | 禁用模式下的 VBUS 漏電流，TJ =-40°C 至 85°C | VBUS = 5V，VBAT = 4V，充電器禁用，/EN 拉高 | 3.5 | 4.25 | μA | |
| IQ_BAT_HIZ | HiZ 模式下的 BAT 和 SW 引腳漏電流，TJ = -40°C 至 65°C | VBAT = VSW = 4.5V，VBUS 懸空 | 0.17 | 1 | μA | |
| VBUS 上電 | ||||||
| VVBUS_OP | VBUS 工作范圍 | 4.1 | 17.0 | V | ||
| VVBUS_UVLOZ | VBUS 上電復(fù)位 | VBUS 上升 | 3.0 | 3.80 | V | |
| VVBUS_UVLOZ_HYS | VBUS 上電復(fù)位遲滯 | VBUS 下降 | 250 | mV | ||
| VVBUS_LOWV | 導(dǎo)通 REGN 的條件 | VBUS 上升，REGN 導(dǎo)通，VBAT = 3.2V | 3.8 | 3.90 | 4.00 | V |
| VVBUS_LOWV_HYS | 導(dǎo)通 REGN 的條件，遲滯 | VBUS 下降，REGN 關(guān)斷，VBAT = 3.2V | 300 | mV | ||
| VSLEEP | 進(jìn)入睡眠模式閾值 | VBUS 下降，VBUS - VBAT，VVBUS_LOWV < VBAT < VBATREG | 30 | 60 | 100 | mV |
| VSLEEPZ | 退出睡眠模式閾值 | VBUS 上升，VBUS - VBAT，VVBUS_LOWV < VBAT < VBATREG | 110 | 157 | 295 | mV |
| VVBUS_OVP_RISE | VBUS 過壓上升閾值 | VBUS 上升，轉(zhuǎn)換器停止開關(guān) | 17.00 | 17.40 | 17.80 | V |
| VVBUS_OVP_HYS | VBUS 過壓下降遲滯 | VBUS 下降，轉(zhuǎn)換器停止開關(guān) | 750 | mV | ||
| MOSFET | ||||||
| RDSON_Q1 | VBUS 和 PMID 之間的頂部反向阻斷 MOSFET 導(dǎo)通電阻 (Q1) | VREGN = 5V | 40 | 65 | mΩ | |
| RDSON_Q2 | PMID 和 SW 之間的高側(cè)開關(guān) MOSFET 導(dǎo)通電阻 (Q2) | VREGN = 5V | 50 | 82 | mΩ | |
| RDSON_Q3 | SW 和 GND 之間的低側(cè)開關(guān) MOSFET 導(dǎo)通電阻 (Q3) | VREGN = 5V | 45 | 72 | mΩ | |
| 電池充電器 | ||||||
| VBATREG | 充電電壓調(diào)節(jié) | VSET 引腳懸空，TJ = -40°C 至 +85°C | 4.08 | 4.100 | 4.120 | V |
| 將 VSET 引腳連接至 51kΩ 電阻器，TJ = -40°C 至 +85°C | 4.328 | 4.350 | 4.371 | V | ||
| 將 VSET 引腳連接至 10kΩ 電阻器，TJ = -40°C 至 +85°C | 4.378 | 4.400 | 4.422 | V | ||
| VSET 引腳接地，TJ = -40°C 至 +85°C | 4.179 | 4.200 | 4.221 | V | ||
| ICHG | 充電電流調(diào)節(jié) | ICHG 設(shè)置為 1.72A 且 RICHG = 23.2kΩ | 1.55 | 1.72 | 1.89 | A |
| ICHG 設(shè)置為 1.0A 且 RICHG = 40.2kΩ | 0.90 | 1.00 | 1.10 | A | ||
| ICHG 設(shè)置為 0.5A 且 RICHG = 78.7kΩ | 0.40 | 0.50 | 0.60 | A | ||
| ITERM | 終止電流調(diào)節(jié) | ICHG = 1.72A，ICHG 的 10%，RICHG = 23.2kΩ | 138 | 172 | 206 | mA |
| ICHG = 1.0A，ICHG 的 10%，RICHG = 40.2kΩ | 70 | 100 | 130 | mA | ||
| ICHG = 0.5A，ITERM = 63mA，RICHG = 78.7kΩ | 33 | 63 | 93 | mA | ||
| IPRECHG | 預(yù)充電電流 | ICHG = 1.72A，ICHG 的 10%，RICHG = 23.2kΩ | 115 | 172 | 225 | mA |
| ICHG = 1.0A，ICHG 的 10%，RICHG = 40.2kΩ | 50 | 100 | 150 | mA | ||
| ICHG = 0.5A，RICHG = 78.7kΩ | 28 | 63 | 98 | mA | ||
| VBAT_SHORT_RISE | VBAT 短路上升閾值 | 短路至預(yù)充電 | 2.05 | 2.20 | 2.35 | V |
| VBAT_SHORT_FALL | VBAT 短路下降閾值 | 預(yù)充電至短路 | 1.85 | 2.00 | 2.15 | V |
| IBAT_SHORT | 電池短路電流 | VBAT < VBAT_SHORT_FALL | 25 | 35 | 46 | mA |
| VBAT_LOWV_RISE | 上升閾值 | 預(yù)充電至快速充電 | 2.90 | 3.00 | 3.10 | V |
| VBAT_LOWV_FALL | 下降閾值 | 快速充電至預(yù)充電 | 2.60 | 2.70 | 2.80 | V |
| VRECHG_HYS | 低于 VBATREG 時的再充電遲滯 | VBAT 下降 | 110 | 160 | 216 | mV |
| 輸入電壓/電流調(diào)節(jié) | ||||||
| VINDPM_MIN | 最小輸入電壓調(diào)節(jié) | VBAT = 3.5V，在 PMID 引腳上測得 | 4 | 4.07 | 4.2 | V |
| VINDPM | 輸入電壓調(diào)節(jié) | VBAT = 4V，在 PMID 引腳上測得，VINDPM = 1.044*VBAT + 0.125V | 4.15 | 4.28 | 4.41 | V |
| IINDPM_3A | 輸入電流調(diào)節(jié) | VBUS = 5V | 3.00 | 3.35 | 3.70 | A |
| 電池過壓保護(hù) | ||||||
| VBAT_OVP_RISE | 電池過壓上升閾值 | VBAT 上升，以占 VBATREG 的百分比表示 | 101.9 | 103.5 | 105.0 | % |
| VBAT_OVP_FALL | 電池過壓下降閾值 | VBAT 下降，以占 VBATREG 的百分比表示 | 100.0 | 101.6 | 103.1 | % |
| 轉(zhuǎn)換器保護(hù) | ||||||
| VBTST_REFRESH | 自舉刷新比較器閾值 | 請求 LSFET 刷新脈沖時 (VBTST - VSW)，VBUS = 5V | 2.7 | 3 | 3.3 | V |
| IHSFET_OCP | HSFET 逐周期過流限制閾值 | 5.2 | 6.2 | 6.7 | A | |
| STAT 指示 | ||||||
| ISTAT_SINK | STAT 引腳灌電流 | 6 | mA | |||
| FBLINK2 | STAT 引腳閃爍頻率 | 1 | Hz | |||
| FBLINK_DUTY | STAT 引腳閃爍占空比 | 50 | % | |||
| 熱調(diào)節(jié)和熱關(guān)斷 | ||||||
| TREG | 結(jié)溫調(diào)節(jié)精度 | 111 | 120 | 133 | °C | |
| TSHUT | 熱關(guān)斷上升閾值 | 溫度升高 | 150 | °C | ||
| 熱關(guān)斷下降閾值 | 溫度降低 | 125 | °C | |||
| 降壓模式運(yùn)行 | ||||||
| FSW | PWM 開關(guān)頻率 | SW 節(jié)點(diǎn)頻率 | 1.02 | 1.20 | 1.38 | MHz |
| DMAX | 最大 PWM 占空比 | 97.0 | % | |||
| REGN LDO | ||||||
| VREGN_UVLO | REGN UVLO | VVBUS 上升 | 3.85 | V | ||
| VREGN | REGN LDO 輸出電壓 | VVBUS = 5V，IREGN = 0mA 至 16mA | 4.20 | 5.0 | V | |
| VREGN | REGN LDO 輸出電壓 | VVBUS = 12V，IREGN = 16mA | 4.50 | 5.40 | V | |
| ICHG 設(shè)置 | ||||||
| VICHG | ICHG 引腳穩(wěn)壓電壓 | 993 | 998 | 1003 | mV | |
| RICHG_SHORT_FALL | 用于禁用充電的電阻 | 1.00 | kΩ | |||
| RICHG_OPEN_RISE | 用于禁用充電的電阻 | 565 | kΩ | |||
| RICHG | ICHG 上的可編程電阻 | VBUS = 5V，電阻減小 | 11.70 | 250 | kΩ | |
| RICHG_HIGH | 用于將預(yù)充電和終止電流鉗位至 63mA 的 ICHG 設(shè)置電阻器閾值 | RICHG > RICHG_HIGH | 60.0 | 65.0 | 70.0 | kΩ |
| JEITA 熱敏電阻比較器 | ||||||
| VT1% | T1 (0°C) 閾值，如果熱敏電阻溫度低于 T1，則充電暫停 | VTS 上升，充電器暫停充電。以占 VREGN 的百分比表示 | 72.68 | 73.5 | 74.35 | % |
| VT1% | VTS 下降 | 以占 VREGN 的百分比表示 | 70.68 | 71.5 | 72.33 | % |
| VT2% | T2 (10°C) 閾值，充電電流降至 ICHG 的 20% | VTS 上升。以占 VREGN 的百分比表示 | 67.7 | 68.5 | 69.5 | % |
| VT2% | VTS 下降 | 以占 VREGN 的百分比表示 | 66.5 | 67.3 | 68.2 | % |
| VT3% | T3 (45°C) 閾值，高于此溫度時以 ICHG 的 50% 充電且 VREG = 4.1V | VTS 下降。以占 VREGN 的百分比表示 | 46.35 | 47.25 | 48.15 | % |
| VT3% | VTS 上升 | 以占 VREGN 的百分比表示 |
47.35 | 48.25 | 49.15 | % |
| VT5% | T5 (60°C) 閾值，高于此溫度時充電暫停。 | VTS 下降。以占 VREGN 的百分比表示 | 36.95 | 37.75 | 38.55 | % |
| VT5% | VTS 上升 | 以占 VREGN 的百分比表示 |
37.95 | 38.75 | 39.55 | % |
| 冷/熱熱敏電阻比較器 | ||||||
| 邏輯 I/O 引腳特性（POL、EN） | ||||||
| VILO | 輸入低閾值 | 下降 | 0.40 | V | ||
| VIH | 輸入高閾值 | 上升 | 1.3 | V | ||
| IBIAS | EN 引腳上的高電平漏電流 | EN 引腳上拉至 1.8V | 1.0 | μA | ||