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ZHCSKQ7B May 2020 – May 2024 DRV8705-Q1

PRODUCTION DATA

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

在高溫運(yùn)行環(huán)境中，估算驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的自發(fā)熱可能很重要。若要確定器件的溫度，首先必須計(jì)算內(nèi)部功率耗散。之后，可根據(jù)器件封裝的熱特性來估算相應(yīng)值。

內(nèi)部功率耗散具有四個(gè)主要分量。

如下所示，可參考前面的電荷泵負(fù)載電流公式來計(jì)算 P_HS 和 P_LS 的近似值。在典型的開關(guān)場(chǎng)景中，有 1 個(gè)高側(cè) MOSFET 和 1 個(gè)低側(cè) MOSFET 正在進(jìn)行開關(guān)。

方程式 17. I_HS/LS (A) = Q_G (C) x f_PWM (Hz) x 正在進(jìn)行開關(guān)的 FET 數(shù)量

以輸入設(shè)計(jì)參數(shù)為例，我們可以計(jì)算高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的電流負(fù)載。

方程式 18. I_HS = 30 nC x 20 kHz x 1 = 0.6 mA

方程式 19. I_LS = 30 nC x 20 kHz x 1 = 0.6 mA

基于這些信息，可根據(jù)以下公式計(jì)算驅(qū)動(dòng)器的功率耗散。計(jì)算高側(cè)功率耗散時(shí)加入了一個(gè)加倍因子來體現(xiàn)電荷泵中的損耗。

方程式 20. P_HS (W) = I_HS (A) x V_PVDD x 2

方程式 21. P_LS (W) = I_LS (A) x V_PVDD

以輸入設(shè)計(jì)參數(shù)為例，我們可以計(jì)算高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的功率耗散。

方程式 22. P_HS (W) = 0.0144 W = 0.6 mA x 12 V x 2

方程式 23. P_LS (W) = 0.0072 W = 0.6 mA x 12 V

可參考以下公式來計(jì)算 P_PVDD 和 P_VCC 的近似值。

方程式 24. P_PVDD (W) = I_PVDD (A) x V_PVDD

方程式 25. P_VCC (W) = (I_DVDD (A) x V_DVDD) + (I_AREF (A) x V_AREF)

以輸入設(shè)計(jì)參數(shù)為例，我們可以計(jì)算電源的功率耗散。

方程式 26. P_PVDD (W) = 0.0024 W = 2 mA x 12 V

方程式 27. P_VCC (W) = 0.0015 W = (3.5 mA x 3.3 V) + (1 mA x 3.3 V)

最后，若要估算器件結(jié)溫，可以參考以下公式。

方程式 28. T_JUNCTION (°C) = T_AMBIENT (°C) + (R_θJA (°C/W) x P_TOT(W))

可以根據(jù)先前計(jì)算出的功率耗散值和“熱性能信息”表中的器件熱性能參數(shù)來估算器件內(nèi)部溫度。

方程式 29. T_JUNCTION (°C) = 105.9 °C = 105 °C + (34.9 °C/W x 0.0255 W)