ZHCSA48E July 2012 – July 2025 DRV8844
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購信息
7.3.4 功率耗散
DRV8844 中的功率耗散主要由輸出 FET 電阻或 RDS(ON) 中耗散的功率決定。每個(gè) H 橋在運(yùn)行直流電機(jī)時(shí)的平均功耗可以通過方程式 1 大致估算。
方程式 1. 
其中
- P 是一個(gè) H 橋的耗散功率
- RDS(ON) 是每個(gè) FET 的導(dǎo)通電阻
- IOUT 是施加到每個(gè)繞組的 RMS 輸出電流
IOUT 等于直流電機(jī)消耗的平均電流。請注意，在啟動(dòng)和故障情況下，相應(yīng)的電流遠(yuǎn)大于正常運(yùn)行電流；需要將這些峰值電流及其持續(xù)時(shí)間也考慮在內(nèi)。因數(shù) 2 來自這樣的事實(shí)，即兩個(gè) FET 在任何時(shí)刻導(dǎo)通繞組電流（一個(gè)高側(cè)和一個(gè)低側(cè)）。
器件總耗散將是兩個(gè) H 橋中每一個(gè)耗散的總和。
器件中可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。
請注意，RDS(ON) 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會(huì)增大。在確定散熱器尺寸時(shí)，必須考慮到這一點(diǎn)。