ZHCSA48E July 2012 – July 2025 DRV8844
PRODUCTION DATA
圖 4-1 PWP 封裝28 引腳 HTSSOP頂視圖| 引腳 | 類型(1) | 說明 | 外部組件或連接 | |
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | |||
| 電源和接地 | ||||
| CP1 | 1 | P | 電荷泵飛跨電容器 | 在 CP1 和 CP2 間連接一個 0.01μF、100V 電容器。 |
| CP2 | 2 | P | 電荷泵飛跨電容器 | |
| LGND | 19 | P | 邏輯輸入基準(zhǔn)接地 | 連接到邏輯接地端。這是 VNEG 和 VM – 8V 之間的任意電壓。 |
| V3P3OUT | 15 | P | 3.3V 穩(wěn)壓器輸出 | 使用 0.47μF 6.3V 陶瓷電容器旁路至 VNEG??捎糜跒?VREF 供電。 |
| VCP | 3 | P | 高側(cè)柵極驅(qū)動電壓 | 將一個電容為 0.1μF、電壓為 16V 的陶瓷電容器連接至 VM。 |
| VM | 4、11 | P | 主電源 | 連接到電機電源(8V 至 60V)。兩個引腳都必須連接到同一電源。使用 10μF(最小值)陶瓷電容器旁路至 VNEG。 |
| SRC12 | 6 | P | OUT1 和 OUT2 的低側(cè) FET 源極 | 直接連接到 VNEG 或通過可選的電流感測電阻器連接 |
| SRC34 | 9 | P | OUT3 和 OUT4 的低側(cè) FET 源極 | |
| VNEG | 14、28、PPAD | P | 負(fù)電源(雙電源)或接地(單電源) | |
| 控制 | ||||
| EN1 | 26 | I | 通道 1,啟用 | 邏輯高電平啟用 OUT1。內(nèi)部下拉電阻。 |
| EN2 | 24 | I | 通道 2,啟用 | 邏輯高電平啟用 OUT2。內(nèi)部下拉電阻。 |
| EN3 | 22 | I | 通道 3,啟用 | 邏輯高電平啟用 OUT3。內(nèi)部下拉電阻。 |
| EN4 | 20 | I | 通道 4,啟用 | 邏輯高電平啟用 OUT4。內(nèi)部下拉電阻。 |
| IN1 | 27 | I | 通道 1 輸入 | 邏輯輸入控制 OUT1 的狀態(tài)。內(nèi)部下拉電阻。 |
| IN2 | 25 | I | 通道 2 輸入 | 邏輯輸入控制 OUT2 的狀態(tài)。內(nèi)部下拉電阻。 |
| IN3 | 23 | I | 通道 3 輸入 | 邏輯輸入控制 OUT3 的狀態(tài)。內(nèi)部下拉電阻。 |
| IN4 | 21 | I | 通道 4 輸入 | 邏輯輸入控制 OUT4 的狀態(tài)。內(nèi)部下拉電阻。 |
| nRESET | 16 | I | 復(fù)位輸入 | 低電平有效復(fù)位輸入可初始化內(nèi)部邏輯并禁用 H 橋輸出。內(nèi)部下拉電阻。 |
| nSLEEP | 17 | I | 睡眠模式輸入 | 邏輯高電平用于啟用器件;邏輯低電平用于進(jìn)入低功耗睡眠模式。內(nèi)部下拉電阻。 |
| 狀態(tài) | ||||
| nFAULT | 18 | OD | 故障 | 在故障條件下(過熱、過流、UVLO)時為邏輯低電平。開漏輸出。 |
| 輸出 | ||||
| OUT1 | 5 | O | 輸出 1 | 連接到負(fù)載 |
| OUT2 | 7 | O | 輸出 2 | |
| OUT3 | 8 | O | 輸出 3 | |
| OUT4 | 10 | O | 輸出 4 | |
| 無連接 | ||||
| NC | 12、13 | — | 無連接 | 未連接至這些引腳 |