ZHCSVR6 March 2024 ISOUSB211-Q1
ADVANCE INFORMATION
在圖 8-6 所示的應用示例中,ISOUSB211-Q1 由連接器側的 USB VBUS 和微控制器側的本地 3.3V 數(shù)字電源供電來生成 V3P3Vx。外部 LDO 或直流/直流降壓轉換器用于在兩側生成 V1P8Vx。
在這種情況下,兩側的總功耗合計為:
VBUS1 × IVBUS1 + V1P8V1 × I1P8V1 + V3P3V2 × I3P3V2 + V1P8V2 × I1P8V2
假設 VBUS 的最大值是 5.25V,并且外部 1.8V 電源的最大值是 1.89V,則內部功耗計算如下:
5.25V×13.5mA + 1.89V×96mA + 3.5V×13.5mA + 1.89V×96mA = 481mW。
由于結至空氣熱阻為 44.2°C/W,此功率損耗會導致 22°C 的內部溫升。此配置可支持高達 128°C 的環(huán)境溫度。
TLV741P 和 TLV62568 分別是此應用中可使用的低成本 LDO 和降壓轉換器示例。這兩個選項都可降低 ISOUSB211-Q1 中的功率損耗。但是,降壓轉換器還降低了系統(tǒng)級的功耗,以及從 VBUS 和本地 3.3V 電源汲取的電流。
此配置使用外部穩(wěn)壓器,可實現(xiàn)最低功耗和最高環(huán)境溫度運行。