ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
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高側(cè)偏置電壓是使用自舉技術(shù)生成的,并在內(nèi)部鉗位為 5V(典型值)。該鉗位可防止柵極電壓超過增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。