ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VBE|15
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù)、120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds (on) 和最大電流型號，即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。該器件包含一個由高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此兩個 LMG3100 器件可用于形成半橋，而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。
GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅(qū)動器和 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術(shù)確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應(yīng)用來說，該器件是理想的解決方案。
簡化版方框圖