ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
通過(guò) LMG3100 器件可以輕松設(shè)計(jì)高功率密度電路板，無(wú)需底層填料，同時(shí)仍能滿足爬電距離和間隙要求。將 GaN FET 與驅(qū)動(dòng)器的共同封裝可確保盡可能降低共源電感。盡可能降低此電感對(duì)硬開(kāi)關(guān)式拓?fù)涞男阅苡酗@著影響。
帶鉗位功能的內(nèi)置自舉電路可防止高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器超過(guò) GaN FET 的最大柵源電壓 (Vgs)，無(wú)需使用任何額外的外部電路。內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器在 VCC 和自舉 (HB-HS) 電源軌上具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能。當(dāng) VCC 電壓低于 UVLO 閾值電壓時(shí)，器件會(huì)忽略 HI 和 LI 信號(hào)，以防止 GaN FET 發(fā)生部分導(dǎo)通。在 UVLO 以下，如果電壓足夠 (VVCC > 2.5V)，驅(qū)動(dòng)器會(huì)主動(dòng)將高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出拉至低電平。200mV 的 UVLO 閾值遲滯可防止電壓尖峰引起的抖動(dòng)和意外導(dǎo)通。應(yīng)使用容值為 1μF 或更高的外部 VCC 旁路電容器。為更大限度縮短與引腳之間的布線長(zhǎng)度，TI 建議使用 0402 尺寸。為更大限度減少寄生電感，應(yīng)將旁路電容器和自舉電容器盡可能靠近器件放置。