驅(qū)動(dòng)器可檢測(cè)兩種類型的電流故障：過流及短路。

過流保護(hù) (OCP) 電路可監(jiān)測(cè)漏極電流，并將該電流信號(hào)與內(nèi)部設(shè)定的限值 I_T(OC) 進(jìn)行比較。檢測(cè)到過流時(shí)，LMG365xR035 會(huì)執(zhí)行逐周期保護(hù)，如逐周期過流保護(hù)操作所示。在此模式下，當(dāng)漏極電流超過 I_T(OC) 加上延遲 t_off(OC) 時(shí)，GaN 器件關(guān)斷，但過流信號(hào)在 IN 引腳信號(hào)變?yōu)榈碗娖胶笄宄?/p>

在下一個(gè)周期中，GaN 器件正常導(dǎo)通。如果穩(wěn)態(tài)運(yùn)行電流低于 OCP 電平，但瞬態(tài)響應(yīng)仍可以達(dá)到電流限制，而電路運(yùn)行無法暫停，則可以使用逐周期功能。逐周期功能還可防止 GaN 器件因過流引起的導(dǎo)通損耗而過熱。此外，OCP 水平隨結(jié)溫動(dòng)態(tài)調(diào)整，內(nèi)部設(shè)定的限值 I_T(OC) 在較低溫度下較高，并隨著溫度的升高而降低，如規(guī)格中所述，基于方程式 3。動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)允許客戶用較高的電流在較低溫度下運(yùn)行器件。

短路保護(hù)基于飽和度檢測(cè) (de-sat)，它監(jiān)測(cè)漏源電壓 V_DS，并將電壓與內(nèi)部設(shè)置的限值 V_T(Idsat) 進(jìn)行比較。飽和會(huì)損壞 GaN，如果繼續(xù)在這種條件下運(yùn)行，會(huì)導(dǎo)致故障。如果檢測(cè)到飽和，GaN 器件會(huì)被鎖閉。在高電流下關(guān)斷器件會(huì)導(dǎo)致明顯電壓過沖。因此，當(dāng)從飽和狀態(tài)關(guān)閉時(shí)，設(shè)備會(huì)通過故意減速的驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉，以在關(guān)閉事件期間實(shí)現(xiàn)較低的過沖電壓和振鈴。即使在硬短路情況下，這種快速響應(yīng)電路也有助于保護(hù) GaN 器件。在這種保護(hù)中，GaN 器件會(huì)關(guān)閉并保持關(guān)斷狀態(tài)，直到通過將 IN 引腳保持在低電平一段時(shí)間（在 規(guī)格 中定義）或切斷 VDD 的電源復(fù)位了故障。

出于安全考慮，OCP 允許逐周期運(yùn)行，而去飽和會(huì)將器件鎖存至復(fù)位。兩種故障都會(huì)在 FLT/RDRV 引腳上報(bào)告。

圖 圖 7-4 顯示了 OC 和去飽和保護(hù)的行為。在前兩個(gè)周期中，會(huì)在不觸發(fā)去飽和的情況下觸發(fā) OC 限制，因此會(huì)進(jìn)行逐周期保護(hù)。在第三個(gè)周期中會(huì)觸發(fā) OC 限制，但在 t_off(OC) 內(nèi)，當(dāng) V_DS 升至 V_T(Idsat) 以上時(shí)，會(huì)觸發(fā)去飽和保護(hù)。由于觸發(fā)了去飽和保護(hù)，這會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷和鎖存保護(hù)速度變慢。

圖 7-3 逐周期過流保護(hù)操作

圖 7-4 過流檢測(cè)與去飽和檢測(cè)