ZHCSXP8A December 2024 – December 2025 LMG3650R035
PRODMIX
LMG365xR035 是一款具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復(fù)和超低輸出電容,可在基于橋的拓?fù)渲蝎@得高效率。
集成驅(qū)動(dòng)器可確保器件在漏極壓擺率 時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。集成驅(qū)動(dòng)器保護(hù) GaN 器件免受過電流、短路、過熱和 VDD 欠壓。LMG3656R035 具有零電壓檢測 (ZVD) 功能,可在檢測到零電壓開關(guān) (ZVS) 時(shí)在 ZVD 引腳輸出脈沖信號(hào)。LMG3657R035 包含零電流檢測 (ZCD) 功能,可在漏源電流為負(fù)時(shí)將 ZCD 引腳設(shè)置為高電平,并在檢測到過零點(diǎn)時(shí)轉(zhuǎn)換為低電平。
與 Si MOSFET 不同,GaN 器件在源極到漏極之間沒有 p-n 結(jié),因此沒有反向恢復(fù)電荷。然而,GaN 器件仍然會(huì)像 p-n 結(jié)體二極管一樣從源極導(dǎo)通到漏極,但壓降更高,導(dǎo)通損耗更高。因此,必須在 LMG365xR035 GaN FET 關(guān)斷時(shí)盡可能縮短源漏導(dǎo)通時(shí)間。