ZHCSXB4 October 2024 TAA3040
ADVANCE INFORMATION
該寄存器配置器件關(guān)斷。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| 保留 | INCAP_QCHG[1:0] | SHDNZ_CFG[1:0] | DREG_KA_TIME[1:0] | ||||
| R-0h | R/W-0h | R/W-1h | R/W-1h | ||||
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | 保留 | R | 0h | 保留 |
| 5-4 | INCAP_QCHG[1:0] | R/W | 0h | 外部交流耦合電容器的快速充電持續(xù)時(shí)間使用 800Ω 的內(nèi)部串聯(lián)電阻來設(shè)置。 0d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 2.5ms（典型值） 1d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 12.5ms（典型值） 2d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 25ms（典型值） 3d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 50ms（典型值） |
| 3-2 | SHDNZ_CFG[1:0] | R/W | 1h | 關(guān)斷配置。 0d = SHDNZ 置為有效后立即關(guān)斷 DREG 1d = DREG 保持有效，以便在達(dá)到超時(shí)之前徹底關(guān)斷；在超時(shí)之后，強(qiáng)制 DREG 關(guān)斷 2d = DREG 保持有效，直至器件完全關(guān)斷 3d = 保留 |
| 1-0 | DREG_KA_TIME[1:0] | R/W | 1h | 這些位設(shè)置在 SHDNZ 置為有效后 DREG 仍保持有效的時(shí)長。 0d = DREG 保持有效狀態(tài) 30ms（典型值） 1d = DREG 保持有效狀態(tài) 25ms（典型值） 2d = DREG 保持有效狀態(tài) 10ms（典型值） 3d = DREG 保持有效狀態(tài) 5ms（典型值） |