ZHCSNL1A December 2024 – March 2025 TAS6754-Q1
PRODUCTION DATA
柵極驅(qū)動(dòng)器接受低壓 PWM 信號(hào)并對(duì)其進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換以驅(qū)動(dòng)高電流全橋功率 FET 級(jí)。
該器件使用專有技術(shù)來優(yōu)化 EMI 和音頻性能。柵極驅(qū)動(dòng)器電源電壓 GVDD 是內(nèi)部生成的,必須連接一個(gè)去耦電容器。
完整的 H 橋輸出級(jí)僅使用 NMOS 晶體管。因此,需要使用自舉電容器來確保 OUT-xP 端的高側(cè) NMOS 晶體管的正常運(yùn)行。每個(gè)輸出端與相應(yīng)的自舉輸入端之間必須連接一個(gè) 1μF 的陶瓷電容器,電容質(zhì)量需達(dá)到 X7R 或更高等級(jí),并且額定電壓必須適應(yīng)所施加的電壓(包括負(fù)載突降電壓)。連接在 BST 引腳和相應(yīng)輸出端之間的自舉電容器用作高側(cè) N 溝道功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路的浮動(dòng)電源。在每個(gè)高側(cè)開關(guān)周期期間,自舉電容器將柵源電壓保持在高電平,從而保持高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通。
OUT_xM 端的高側(cè) FET 柵極驅(qū)動(dòng)器由四個(gè)通道共用的電荷泵 (CP) 電源供電。從 CP 引腳到 PVDD 必須連接一個(gè) 330nF 的陶瓷電容器,電容質(zhì)量需達(dá)到 X7R 或更高等級(jí),并且額定電壓必須適應(yīng)所施加的電壓(包括負(fù)載突降電壓)。此外,必須從 CPC_TOP 引腳到 CPC_BOT 引腳之間連接一個(gè)同樣額定值的 100nF 陶瓷電容器。