ZHDS017 December 2025 TPS1HC04-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
器件 TPS1HC04-Q1 提供高精度可調(diào)節(jié)電流，這可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性，并在短路或大電容上電期間為電源提供保護(hù)?？烧{(diào)電流限制還可以通過(guò)將電流限制設(shè)置為較低的水平來(lái)減少 PCB 布線、降低連接器尺寸和前一個(gè)功率級(jí)的容量，從而節(jié)省系統(tǒng)成本。
該器件的電流限制可通過(guò) ILIM 引腳上的外部電阻器進(jìn)行調(diào)節(jié)。該器件提供具有熱調(diào)節(jié)電流限制的 ILIM 設(shè)置，可根據(jù) FET 和控制器的相對(duì)溫度調(diào)整電流限制水平。這可以避免 FET 快速發(fā)熱并延遲相對(duì)熱關(guān)斷的觸發(fā)，從而使器件能夠在啟動(dòng)時(shí)為大電容器充電。當(dāng) ILIM 引腳短接至 GND 時(shí)，可以在不進(jìn)行熱調(diào)節(jié)的情況下配置器件電流限制，其中器件將電流限制在設(shè)定的 ILIM 值。表 8-2 詳細(xì)說(shuō)明了可根據(jù) ILIM 引腳配置進(jìn)行的不同設(shè)置。
| ILIM 引腳上的 RLIM 值 | 典型 ICL = KCL / RLIM | 熱調(diào)節(jié) |
|---|---|---|
| ILIM = GND 或 RLIM< 16.67kΩ | 45A 的最大設(shè)置 | 禁用 |
| RLIM = 16.67kΩ | 45A | 啟用 |
| 16.67kΩ < RLIM < 50kΩ | ICL = KCL / RLIM | 啟用 |
| RLIM = 50kΩ | 15A | 啟用 |
| ILIM = 開(kāi)路或 RLIM > 50kΩ | 15A 的最小設(shè)置 | 啟用 |
該器件還提供快速跳閘斷路器功能，該功能在啟用通道時(shí)發(fā)生短路的情況下使用，這種情況也稱為熱短路。達(dá)到 ICB 閾值后，器件快速關(guān)閉通道，以保護(hù)內(nèi)部 MOSFET。此外，該器件還可在較高電壓下提供電流限制折返功能，有助于在發(fā)生高 VDS 事件時(shí)保護(hù)內(nèi)部功率 MOSFET。
系統(tǒng)中可能發(fā)生的不同過(guò)流事件包括：
啟用器件并對(duì)器件的輸出應(yīng)用短路條件時(shí)，會(huì)發(fā)生熱短路。當(dāng) MOSFET 的輸出端已經(jīng)發(fā)生短路時(shí)將會(huì)啟用至短接，并且器件被啟用至短路狀態(tài)。如果輸出端發(fā)生緩慢上升過(guò)流事件，則可能會(huì)發(fā)生電流過(guò)載，又稱為緩慢蠕變。
在接下來(lái)的幾節(jié)中，會(huì)介紹具有熱調(diào)節(jié)功能和沒(méi)有熱調(diào)節(jié)功能的電流限制如何與斷路器和熱關(guān)斷功能配合工作，以幫助防止可能發(fā)生的各種過(guò)流情況。