ZHDS017 December 2025 TPS1HC04-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| tDR | 通道導(dǎo)通延遲時間 | EN 的 50% 至 VOUT 的 20% （從待機狀態(tài)） |
6 | 12 | 30 | μs |
| EN 的 50% 至 VOUT 的 20% （從睡眠狀態(tài)起） |
10 | 45 | 70 | μs | ||
| tDF | 通道關(guān)斷延遲時間 | EN 的 50% 至 VOUT 的 80% | 35 | 80 | 121 | μs |
| SRR | VOUT 上升轉(zhuǎn)換率 | VOUT 的 20% 至 80%，0.9Ω 負載（D、B 版本） | 0.02 | 0.04 | 0.07 | V/μs |
| VOUT 的 20% 至 80%，0.9Ω 負載（P、M 版本） | 0.3 | 0.45 | 1 | V/μs | ||
| SRF | VOUT 下降壓擺率 | VOUT 的 80% 至 20%（D、B 版本） | 0.02 | 0.04 | 0.07 | V/μs |
| VOUT 的 80% 至 20%（P、M 版本） | 0.3 | 0.4 | 0.6 | V/μs | ||
| tON | 通道導(dǎo)通時間 | EN 的 50% 至 VOUT 的 80%， 從待機狀態(tài) |
15 | 30 | 90 | μs |
| 從睡眠狀態(tài)起，EN 的 50% 至 VOUT 的 80% |
35 | 60 | 110 | μs | ||
| tOFF | 通道關(guān)斷時間 | EN 的 50% 至 VOUT 的 20% | 50 | 90 | 130 | μs |
| tON – tOFF | 導(dǎo)通和關(guān)斷匹配(1) | 1ms 使能脈沖 | -75 | 40 | μs | |
| 200μs 使能脈沖 | -100 | 40 | μs | |||
| ΔPWM | PWM 精度 - 平均負載電流(1) | 200μs 使能脈沖（1ms 周期） | -45 | 25 | % | |
| ≤500Hz，50% 占空比 | -12 | 12 | % | |||
| EON | 導(dǎo)通期間的開關(guān)能量損耗 | VBB = 18V，RL = 2.1?，VOUT 的 0% 至 100% | 0.57 | mJ | ||
| VBB = 18V，RL = 2.1?，VOUT 的 10% 至 90% | 0.51 | mJ | ||||
| EOFF | 關(guān)斷期間的開關(guān)能量損耗 | VBB = 18V，RL = 2.1?，VOUT 的 100% 至 0% | 0.72 | mJ | ||
| VBB = 18V，RL = 2.1?，VOUT 的 90% 至 10% | 0.68 | mJ | ||||