ZHDS017 December 2025 TPS1HC04-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電壓和電流 | |||||||
| VUVLOR | VBB 欠壓鎖定 | 相對于器件 GND 引腳測得 | VBB 上升閾值 | 3.7 | 3.85 | 4.0 | V |
| VUVLOF | VBB 下降閾值 | 2.8 | 2.9 | 3.0 | V | ||
| VDET1 | VBB 檢測 1 閾值 | 運(yùn)行、診斷或待機(jī)狀態(tài) | VBB 上升閾值 | 19 | 20.5 | 22.5 | V |
| 運(yùn)行、診斷或待機(jī)狀態(tài) | VBB 下降閾值 | 18.4 | 19.5 | 20.7 | V | ||
| VDET2 | VBB 檢測 2 閾值 | 運(yùn)行狀態(tài) | VBB 上升閾值 | 24.5 | 26 | 28 | V |
| VBB 下降閾值 | 22.5 | 24 | 26 | V | |||
| VHV_R | VBB 高壓喚醒閾值 | 從睡眠狀態(tài)切換至待機(jī)狀態(tài)所需的 VBB 電壓 | VBB 上升閾值 | 20.9 | 25 | 28.1 | V |
| VHV_F | 從待機(jī)狀態(tài)切換至睡眠狀態(tài)所需的 VBB 電壓 | VBB 下降閾值 | 18 | V | |||
| VClamp | VDS 鉗位電壓 | VBB ≥ VDET1 | TJ = 25℃ | 35 | 37 | V | |
| TJ = -40°C 至 150°C | 31 | 42 | V | ||||
| VBB < VDET1 | TJ = -40°C 至 150°C | 24 | 35 | V | |||
| ISLEEP | 待機(jī)睡眠電流(包括 MOSFET 通道在內(nèi)的器件總漏電流) | VEN = VDIAG_EN = 0V,VOUT = 0V | TJ = 25°C | 1.2 | μA | ||
| TJ = 85°C | 1.4 | μA | |||||
| TJ = 150°C | 12 | μA | |||||
| IOUT(SLEEP) | 輸出泄漏電流 | VEN = VDIAG_EN = 0V,VOUT = 0V | TJ = 25°C | 0.02 | 0.5 | μA | |
| TJ = 85°C | 0.7 | μA | |||||
| TJ = 150°C | 6 | μA | |||||
| IDIAG | 診斷狀態(tài)電流消耗 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V,VOUT = 0V,ISNS = 0A | 1.4 | 2.4 | mA | ||
| VEN = 5V,VDIAG_EN = 0V,VOUT = 0V,ISNS = 0A | 1.4 | 2.4 | mA | ||||
| IQ | 靜態(tài)電流 | VEN = VDIAG_EN = 5V,IOUT = 0A | 1.7 | 2.6 | mA | ||
| tSTBY | 待機(jī)模式延遲時間 | VEN = VDIAG_EN = 0V,VBB < VHV_F 至待機(jī) | 15 | 20 | 23 | ms | |
| RON 特性 | |||||||
| RON | 導(dǎo)通電阻 | 3V ≤ VBB ≤ 28V,IOUT= 1A | TJ = 25°C | 4.9 | 5.2 | mΩ | |
| TJ = 150°C | 8 | mΩ | |||||
| RON(REV) | 反極性期間的導(dǎo)通電阻 | -18V ≤ VBB ≤ -6V | TJ = 25°C | 4.9 | 5.3 | mΩ | |
| TJ = 150°C | 8.1 | mΩ | |||||
| ILNOM | 持續(xù)負(fù)載電流 | TAMB = 85°C | 15 | A | |||
| VF | 源漏結(jié)體二極管電壓 | VEN = 0V,IOUT = –1A | 0.15 | 0.6 | 0.8 | V | |
| 電流檢測特性 | |||||||
| VBB_ISNS | 完整的電流檢測和故障功能所需的 VBB 余量(2) | VDIAG_EN = 3.3V | 5.3 | V | |||
| VDIAG_EN = 5V | 6.5 | V | |||||
| KSNS | IOUT 全量程范圍內(nèi)的電流檢測比 IOUT / ISNS | VBB > VBB_ISNS,VEN = VDIAG_EN = 5V | IOUT = 5A | 6000 | A/A | ||
| -9 | 9 | % | |||||
| IOUT = 2A | 6011 | A/A | |||||
| -17 | 15 | % | |||||
| IOUT = 1A | 6030 | A/A | |||||
| -25 | 25 | % | |||||
| IOUT = 500mA | 6053 | A/A | |||||
| -38 | 38 | % | |||||
| SNS 特性 | |||||||
| ISNSleak | ISNS 故障高電平 | VDIAG_EN > VIH,DIAG_EN | 5.5 | 7.4 | 9.5 | mA | |
| ISNSleak_disabled | ISNS 漏電流(禁用診斷) | VDIAG_EN = 0V | 在 SNS 引腳上強(qiáng)制 0V | -100 | 1 | 100 | nA |
| 電流限制特性 | |||||||
| RLIM | RLIM 短路檢測范圍 | 16.67 | kΩ | ||||
| RLIM 開路檢測范圍 | 50 | kΩ | |||||
| ICL_FLT_Trip | 故障置為有效時的電流與實際電流限制之比(2) | TJ = -40°C 至 150°C | RLIM = 16.67kΩ 至 50kΩ | 74 | 80 | % | |
| KCL | 電流限制比(1) | TJ = -40°C 至 150°C | RLIM = 16.67kΩ | 607.5 | 750 | 952.5 | A * kΩ |
| RLIM = 25kΩ | 607.5 | 750 | 952.5 | A * kΩ | |||
| RLIM = 50kΩ | 637.5 | 750 | 862.5 | A * kΩ | |||
| ICL | ICL 電流限制閾值 | TJ = -40°C 至 150°C | RLIM = GND | 45 | A | ||
| RLIM = 開路 | 15 | A | |||||
| ICB | 啟用開關(guān)后施加短路時的峰值電流閾值(2) | RLIM = 16.67kΩ 至 50kΩ | TJ = -40°C | 49 | A | ||
| TJ = 25°C | 50 | A | |||||
| TJ = 150°C | 51 | A | |||||
| ICL_HV | 高電壓下的 ICL 電流限制降額(2) | TJ = -40°C 至 150°C | VBB < VDET1 | ICL | A | ||
| VDET1 ≤ VBB < VDET2 | (ICL)/2 | A | |||||
| VBB ≥ VDET2 | (ICL)/3 | A | |||||
| ICL_LNPK | 線性模式峰值(2) | TJ = -40°C 至 150°C | RLIM > 25kΩ | 1.45 × ICL | A | ||
| RLIM ≤ 25kΩ | 1.45 × ICL | ICB | A | ||||
| 故障特性 | |||||||
| VOL | 開路負(fù)載檢測電壓(VBB - VOUT 電壓) | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V,診斷狀態(tài) | 1.5 | 2.2 | 2.9 | V | |
| RPU | 每個通道的開路負(fù)載 (OL) 檢測內(nèi)部上拉電阻器 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V,(VBB - VOUT = 2.7V) | 90 | kΩ | |||
| tOL | 開路負(fù)載 (OL) 檢測抗尖峰脈沖時間 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V,當(dāng) VBB – VOUT < VOL 時,持續(xù)時間長于 tOL。檢測到開路負(fù)載。 | 200 | 550 | μs | ||
| tOL1 | 從 EN 下降沿開始的 OL 和 STB 指示時間 | VEN = 5V 至 0V,VDIAG_EN = 5V IOUT = 0mA,VOUT = VBB - VOL |
150 | 550 | μs | ||
| tOL2 | 從 DIA_EN 上升開始的 OL 和 STB 指示時間 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 0V 至 5V IOUT = 0mA,VOUT = VBB - VOL |
200 | 4900 | μs | ||
| TABS | 熱關(guān)斷(2) | 150 | 165 | 180 | °C | ||
| TREL | 相對熱關(guān)斷 | 85 | °C | ||||
| THYS | 熱關(guān)斷遲滯 | 28 | °C | ||||
| VFLT | FLT 低輸出電壓 | IFLT = 2.5mA | 0.2 | V | |||
| tFAULT_FLT | 故障指示時間(2) | VDIAG_EN = 5V,出現(xiàn)故障和 FLT 置為有效之間的時間 | 20 | μs | |||
| tFAULT_SNS | 故障指示時間(2) | VDIAG_EN = 5V,出現(xiàn)故障和 ISNS 穩(wěn)定在 ISNSFH 之間的時間 | 30 | μs | |||
| tRETRY_WINDOW | 初始重試時間窗口 | 40 | ms | ||||
| tRETRY, INT | 初始重試窗口中的重試時間 | 從熱關(guān)斷到開關(guān)重新啟用的時間 | 100 | 160 | 300 | μs | |
| tRETRY,EXT | 擴(kuò)展過流中的重試時間 | 50 | 80 | 150 | ms | ||
| EN 引腳特性 | |||||||
| VIL, EN | 輸入電壓低電平 | 無接地網(wǎng)絡(luò) | 0.8 | V | |||
| VIH, EN | 輸入電壓高電平 | 1.5 | V | ||||
| VIHYS, EN | 輸入電壓遲滯 | 320 | mV | ||||
| REN | 內(nèi)部下拉電阻器 | 150 | 200 | 500 | kΩ | ||
| IIL, EN | 輸入電流低電平(2) | VEN = 0.8V | 1.6 | 4 | 5.5 | μA | |
| IIH, EN | 輸入電流高電平(2) | VEN = 5V | 19 | 25 | 35 | μA | |
| DIA_EN 引腳特性 | |||||||
| VIL, DIAG_EN | 輸入電壓低電平 | 無接地網(wǎng)絡(luò) | 0.8 | V | |||
| VIH, DIAG_EN | 輸入電壓高電平 | 1.5 | V | ||||
| VIHYS, DIAG_EN | 輸入電壓遲滯 | 320 | mV | ||||
| RDIAG_EN | 內(nèi)部下拉電阻器 | 100 | 200 | 500 | kΩ | ||
| IIL, DIAG_EN | 輸入電流低電平(2) | VDIAG_EN = 0.8V | 1.6 | 4 | 5.5 | μA | |
| IIH, DIAG_EN | 輸入電流高電平(2) | VDIAG_EN = 5V | 19 | 25 | 35 | μA | |