ZHCSVC0 May 2025 TPS4816-Q1
PRODUCTION DATA
在不使用低功耗旁路路徑的應(yīng)用中,可以使用主 FET GATE 驅(qū)動控制來進行電容充電。
為了在具有容性負載的主 FET 導(dǎo)通期間限制浪涌電流,請使用 R1、R2、C1、D2,如圖 8-4 所示。R1 和 C1 元件會減慢主 FET 柵極的電壓斜坡速率。FET 源極跟隨柵極電壓,從而在輸出電容器上實現(xiàn)受控電壓斜坡。
使用與 C1 串聯(lián)的阻尼電阻 R2(大約 10Ω)。D2 通過繞過 R1 確保快速關(guān)斷 GATE 驅(qū)動器。