ZHCSVC0 May 2025 TPS4816-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
-
8 詳細(xì)說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3 特性說明
- 8.4 器件功能模式
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|23
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.3.2.1 使用旁路 FET（G 驅(qū)動(dòng)器）為負(fù)載電容器充電
在有多個(gè) FET 并聯(lián)的大電流應(yīng)用中，不建議對主 FET 進(jìn)行柵極壓擺率控制，因?yàn)?FET 之間的浪涌電流分布不均會(huì)導(dǎo)致 FET 尺寸必須設(shè)計(jì)得更大。
TPS4816-Q1 集成了具有專用控制輸入 (INP_G) 的柵極驅(qū)動(dòng)器 (G)，以及位于 DRN 和 CS2– 引腳之間的旁路比較器。此特性可用于驅(qū)動(dòng)獨(dú)立的低功耗旁路 FET，并對容性負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電，同時(shí)限制浪涌電流。圖片顯示了采用 TPS4816-Q1 的低功耗旁路 FET 實(shí)施方案，用于為容性負(fù)載充電。外部電容器 Cg 可降低柵極導(dǎo)通壓擺率并控制浪涌電流。
圖 8-3 使用低功耗旁路 FET 柵極 (G) 壓擺率控制的電容器充電在上電過程中，當(dāng) EN/UVLO 拉至高電平且 INP_G 拉至高電平時(shí)，器件會(huì)使用 100μA 拉電流將 G 拉至高電平以導(dǎo)通旁路 FET (G)，而將 INP 拉至低電平來保持主 FET (GATE) 的關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)輸出電容器充電完成時(shí)，可以通過將 INP 拉至高電平來關(guān)斷主 FET (GATE)，通過將 INP_G 拉至低電平來關(guān)斷旁路 FET (G)。當(dāng) INP_G =高電平時(shí)，TPS4816-Q1 檢測 DRN 和 CS2 兩端的電壓，該電壓與 V(BYPASS_SCP) 閾值（典型值為 2V）進(jìn)行比較，以檢測旁路路徑中的輸出接地短路故障。