ZHCSSS3B March 2025 – February 2026 TPS7H5020-SEP , TPS7H5020-SP , TPS7H5021-SEP
PRODMIX
TPS7H502x 的驅(qū)動器級的輸入電壓范圍為 4.5V 至 14V。TPS7H503x 的驅(qū)動器級適應的電壓范圍為 8V 至 14V。該器件 OUT 引腳上提供的電壓約等于 PVIN 上提供的電壓。因此,TPS7H502x 控制器能夠用于為基于硅 MOSFET 和 GaN FET 的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計提供適當?shù)臇艠O電壓。TPS7H503x 針對基于硅 MOSFET 的設(shè)計進行了定制。對于硅 MOSFET,典型柵極電壓為 10V 至 12V。GaN 功率半導體器件通常需要 4.5V 至 6V 的柵極電壓。所需的柵極電壓取決于所選的開關(guān)器件,因此該控制器允許用戶為驅(qū)動器級提供足以滿足特定應用需求的電壓。PVIN 可直接連接至 VIN 以實現(xiàn)單個電源操作。此配置可用于驅(qū)動 TPS7H502x 和 TPS7H503x 的硅 MOSFET 或 TPS7H502x 的 GaN FET。在 TPS7H502x 的此設(shè)置中,建議選擇 RVT 和 RVB,以便 VLDO 為內(nèi)部電路提供 5V 的電壓。有關(guān)對 VLDO 輸出進行編程的更多詳細信息,請參閱輸入電壓 (VIN) 和 VLDO。
在 TPS7H502x 中,VLDO 還可以連接到 PVIN,以提供 4.5V 至 5.5V 的穩(wěn)壓柵極驅(qū)動電壓。對于所有控制器而言,建議在 PVIN 到 PGND 之間使用最小 1μF 的電容。對于 TPS7H502x 而言,當 PVIN 連接到 VLDO 時,這可以包括 VLDO 處所需的 1μF 電容??梢允褂妙~外的電容,但總電容不超過 4.7μF,以保持 VLDO 穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性。