ZHCSY19 March 2025 TPSI3050M
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
在三線模式下,為了幫助確保實(shí)現(xiàn)可靠的電源電壓,TI 建議 VDDP 和 VSSP 之間的 CVDDP 電容由一個(gè)用于高頻去耦的 0.1μF 旁路電容器與一個(gè)用于低頻去耦的 10μF 旁路電容器并聯(lián)組成。
在兩線模式下,TI 建議放置在 VDDP 和 VSSP 之間的 CVDDP 電容包含一個(gè)在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件連接的 220nF 電容器。建議的絕對(duì)電容必須為 220nF,因此如果需要降額,可能需要更高的分量值。
必須在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。