三線(xiàn)模式用于需要更高功率傳輸水平或 TPSI3050M 所能提供的最短傳播延遲的應(yīng)用。VDDP 由可提供所需功率的低阻抗外部電源從 EN 引腳獨(dú)立供電。在此模式下，無(wú)論 EN 引腳的狀態(tài)如何，始終會(huì)產(chǎn)生從初級(jí)側(cè)到次級(jí)側(cè)的供電。將 EN 引腳設(shè)置為邏輯高電平或低電平會(huì)將 VDRV 置為有效或置為無(wú)效，從而分別啟用或禁用外部開(kāi)關(guān)。圖 7-1 展示了三線(xiàn)模式運(yùn)行所需的基本設(shè)置，其中需要 EN、VDDP 和 VSSP 信號(hào)。EN 最高可被驅(qū)動(dòng)至 5.5V，通常由與 VDDP 位于同一電源軌上的電路驅(qū)動(dòng)。在該示例中，TPSI3050M 用于驅(qū)動(dòng)采用共源極配置的背對(duì)背 MOSFET。C_VDDP 為器件的 VDDP 電源軌提供所需的去耦電容。C_DIV1 和 C_DIV2 提供 VDDH 和 VDDM 電源軌所需的去耦電容，這些電源軌提供峰值電流來(lái)驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET。

圖 7-2 展示了從啟動(dòng)到穩(wěn)態(tài)條件的基本操作。圖 7-2 展示了使用 TPSI3050M 的操作。在上電之后，TPSI3050M 開(kāi)始在固定周期（典型值為 25μs）內(nèi)以 R_PXFR 確定的占空比，將功率從 VDDP 傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)，從而開(kāi)始對(duì) VDDH 和 VDDM 次級(jí)側(cè)電源軌充電。只要 VDDP 存在，功率傳輸就會(huì)繼續(xù)。VDDH 完全充電所需的時(shí)間取決于多個(gè)因素，包括 VDDP、C_DIV1、C_DIV2、R_PXFR 的值，以及總體功率傳輸效率。當(dāng)應(yīng)用將 EN 引腳驅(qū)動(dòng)至邏輯高電平時(shí)，TPSI3050M 會(huì)將信息從初級(jí)側(cè)發(fā)送到次級(jí)側(cè)，以使 VDRV 生效并將其驅(qū)動(dòng)為高電平。同樣，將 EN 引腳設(shè)置為邏輯低電平會(huì)將 VDRV 驅(qū)動(dòng)為低電平。

圖 7-1 三線(xiàn)模式簡(jiǎn)化版原理圖

圖 7-2 采用 TPSI3050M 的三線(xiàn)模式

為了降低平均功耗，TPSI3050M 以突發(fā)方式將功率從初級(jí)側(cè)傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)。通過(guò)從 PXFR 到 VSSP 引腳選擇七個(gè)合適的電阻值中的一個(gè)電阻值 R_PXFR，可設(shè)定突發(fā)開(kāi)通時(shí)間，從而改變電源轉(zhuǎn)換器的占空比，而此期間突發(fā)周期是固定的。此操作為應(yīng)用提供了靈活性，從而可以在消耗的功率與輸送的功率之間進(jìn)行權(quán)衡。更高的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)置會(huì)增加突發(fā)導(dǎo)通時(shí)間，進(jìn)而增加 VDDP 電源的平均功耗并增加傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè) VDDH 和 VDDM 電源的功率量。同樣，較低功率轉(zhuǎn)換器設(shè)置會(huì)縮短突發(fā)導(dǎo)通時(shí)間，進(jìn)而減少?gòu)?VDDP 電源消耗的平均功率并減小傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)的功率量。

表 7-1 總結(jié)了三線(xiàn)模式功率傳輸選擇。