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ZHCSY19 March 2025 TPSI3050M

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DWZ|8

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

8.2.2.2 C_DIV1、C_DIV2 電容

所需的 C_DIV1 和 C_DIV2 電容取決于外部負(fù)載開(kāi)關(guān)期間 VDDH 軌上可耐受的壓降大小。CDIV1 和 CDIV2 電容上存儲(chǔ)的電荷用于在開(kāi)關(guān)期間向負(fù)載提供電流。在開(kāi)關(guān)期間會(huì)發(fā)生電荷共享并且 VDDH 上的電壓會(huì)下降。TI 建議 C_DIV1 和 C_DIV2 串聯(lián)組合形成的總電容大小至少應(yīng)為要開(kāi)關(guān)的總柵極電容的 20 倍。該大小調(diào)整會(huì)使用于為 VDRV 信號(hào)供電的 VDDH 電源軌出現(xiàn)大約 0.5V 的壓降。方程式 1 和方程式 2 可用于計(jì)算指定壓降所需的電容大小。

C_DIV1 和 C_DIV2 必須具有相同的類型和容差。

方程式 1.

C_{D I V 1} = (\frac{n + 1}{n}) \times \frac{Q_{L O A D}}{? V}, n \geq 1.0

方程式 2.

C_{D I V 2} = n \times C_{D I V 1}, n \geq 1.0

其中

n 是大于或等于 1.0 的實(shí)數(shù)。
C_DIV1 是從 VDDH 到 VDDM 的外部電容。
C_DIV2 是從 VDDM 到 VSSS 的外部電容。
Q_LOAD 是從 VDRV 到 VSSS 的負(fù)載總電荷。
ΔV 是切換負(fù)載時(shí) VDDH 上的壓降。

注： C_DIV1 和 C_DIV2 表示絕對(duì)電容，所選的元件必須針對(duì)容差和實(shí)現(xiàn)所需的電容所需的任何降額進(jìn)行調(diào)節(jié)。

可在應(yīng)用中使用較大的 ΔV 值，但過(guò)大的壓降可能導(dǎo)致達(dá)到 VDDH 欠壓鎖定下降閾值 (V_{VDDH_UVLO_F})，并導(dǎo)致 VDRV 被置為低電平。請(qǐng)注意，隨著 C_DIV1 和 C_DIV2 串聯(lián)組合的電容相對(duì)于 Q_LOAD 增加，VDDH 電源壓降會(huì)降低，但上電期間 VDDH 電源電壓的初始充電會(huì)增大。

對(duì)于該設(shè)計(jì)，假設(shè) n = 1 且 ΔV ? 0.5V，則

方程式 3.

C_{D I V 1} = (\frac{1 + 1}{1}) \times \frac{100 n C}{0.5 V} = 400 n F

方程式 4.

C_{D I V 2} = 1 \times 400 n F = 400 n F

對(duì)于這個(gè)設(shè)計(jì)，選擇了標(biāo)準(zhǔn)電容器值 C_DIV1 = C_DIV2 = 470nF。

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

8.2.2.2 CDIV1、CDIV2 電容

8.2.2.2 C_DIV1、C_DIV2 電容