設(shè)計人員必須密切關(guān)注 PCB 布局，以實現(xiàn) TPSI3050M 的最佳性能。以下是一些主要的指導(dǎo)準(zhǔn)則：
- 組件放置：
- 將驅(qū)動器放置在盡可能靠近功率半導(dǎo)體的位置，以減小 PCB 引線上柵極環(huán)路的寄生電感。
- 在 VDDH 和 VDDM 引腳與 VDDM 和 VSSS 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器，以便在導(dǎo)通外部功率晶體管時旁路噪聲并支持高峰值電流。
- 在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。
- 更大限度地減小 RPXFR 引腳上的寄生電容。
- 接地注意事項：
- 將對晶體管柵極進行充電和放電的高峰值電流限制在最小的物理區(qū)域內(nèi)。該限制可降低環(huán)路電感并最大程度地降低晶體管柵極端子上的噪聲。柵極驅(qū)動器應(yīng)盡可能靠近晶體管。
- 在驅(qū)動器 VSSS 與 MOSFET 源極或 IGBT 發(fā)射極之間建立開爾文連接。如果功率器件沒有分離式開爾文源極或發(fā)射極，請將 VSSS 引腳盡可能靠近功率器件封裝的源極或發(fā)射極端子連接，以將柵極環(huán)路與高功率開關(guān)環(huán)路分開。
- 高電壓注意事項：
- 為確保初級側(cè)和次級側(cè)之間的隔離性能，請避免在驅(qū)動器器件下方放置任何 PCB 跡線或銅。TI 建議使用 PCB 切口或坡口來防止可能影響隔離性能的污染。
- 散熱注意事項：
- 適當(dāng)?shù)?PCB 布局有助于將器件產(chǎn)生的熱量散發(fā)到 PCB，并最大限度地降低結(jié)到電路板的熱阻抗 (θJB)。
- 如果系統(tǒng)有多個層，TI 還建議通過具有足夠尺寸的通孔將 VDDH 和 VSSS 引腳連接到內(nèi)部接地或電源平面。這些通孔必須靠近 IC 引腳，以更大限度地提高熱導(dǎo)率。不過，請記住，不要重疊來自不同高電壓平面的跡線或銅。