ZHCSVG8A October 2024 – June 2025 TPSI31P1-Q1
PRODUCTION DATA
所需的 CDIV1 和 CDIV2 電容器取決于外部負(fù)載開關(guān)期間 VDDH 軌上可耐受的壓降大小。CDIV1 和 CDIV2 電容器上存儲的電荷用于在開關(guān)期間向負(fù)載提供電流。在開關(guān)期間會發(fā)生電荷共享并且 VDDH 上的電壓會下降。TI 建議 CDIV1 和 CDIV2 串聯(lián)組合形成的總電容大小至少應(yīng)為要開關(guān)的總柵極電容的 30 倍。該大小調(diào)整會使用于為 VDRV 信號供電的 VDDH 電源軌出現(xiàn)大約 0.5V 的壓降。方程式 11 和方程式 12 可用于計算指定壓降所需的電容大小。
CDIV1 和 CDIV2 必須具有相同的類型和容差。
其中
可以在應(yīng)用中使用較大的 ΔV 值,但過大的壓降可能導(dǎo)致達到 VDDH 欠壓鎖定下降閾值 (VVDDH_UVLO_F),并導(dǎo)致 VDRV 被置為低電平。請注意,隨著 CDIV1 和 CDIV2 串聯(lián)組合的電容相對于 QLOAD 增加,VDDH 電源壓降會降低,但上電期間 VDDH 電源電壓的初始充電會增大。
在該設(shè)計中,開關(guān) FET 的總柵極電荷為 14nC。對于 ΔV = 0.5V,
為進一步降低 ΔV,在該設(shè)計中選擇了以下電容: