設(shè)計(jì)人員必須密切關(guān)注 PCB 布局，以實(shí)現(xiàn) TPSI31P1-Q1 的最佳性能。以下是一些主要的指導(dǎo)準(zhǔn)則：

• 組件放置：
  • 將驅(qū)動(dòng)器放置在盡可能靠近功率半導(dǎo)體的位置，以減小 PCB 引線上柵極環(huán)路的寄生電感。
  • 在 VDDH 和 VDDM 引腳與 VDDM 和 VSSS 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器，以便在導(dǎo)通外部功率晶體管時(shí)旁路噪聲并支持高峰值電流。
  • 在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。
  • 更大限度地減小 RESP 引腳上的寄生電容。
• 接地注意事項(xiàng)：
  • 將對(duì)晶體管柵極進(jìn)行充電和放電的高峰值電流限制在最小的物理區(qū)域內(nèi)。該限制可降低環(huán)路電感并最大程度地降低晶體管柵極端子上的噪聲。柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近晶體管。
  • 在驅(qū)動(dòng)器 VSSS 與 MOSFET 源極或 IGBT 發(fā)射極之間建立開(kāi)爾文連接。如果功率器件沒(méi)有分離式開(kāi)爾文源極或發(fā)射極，請(qǐng)將 VSSS 引腳盡可能靠近功率器件封裝的源極或發(fā)射極端子連接，以將柵極環(huán)路與高功率開(kāi)關(guān)環(huán)路分開(kāi)。
• EMI 注意事項(xiàng)：

  TPSI31P1-Q1 采用展頻調(diào)制 (SSM)，在某些系統(tǒng)中不需要考慮額外的系統(tǒng)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)即可滿足 EMI 性能需求。然而，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以選擇根據(jù)系統(tǒng)要求和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的安全偏好采取其他措施來(lái)更大限度地降低 EMI。下面列出的措施通過(guò)提供從次級(jí)側(cè)到初級(jí)側(cè)的電容返回路徑或通過(guò)初級(jí)側(cè)的電感元件增加共模環(huán)路阻抗來(lái)減少輻射。

  • 電感元件：可以將一對(duì)具有高頻阻抗的鐵氧體磁珠或共模扼流圈與 VDDP 電源和 VSSP 接地端串聯(lián)放置。
  • 電容元件：大多數(shù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)已經(jīng)采用分立式 Y 電容器或者在高壓域和低壓域之間包含一定量的寄生 Y 電容。如果該 Y 電容與 TPSI31P1-Q1 位于同一電路板上，則這些器件將充當(dāng)電容返回路徑。
• 高電壓注意事項(xiàng)：
  • 為確保初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間的隔離性能，請(qǐng)避免在驅(qū)動(dòng)器器件下方放置任何 PCB 跡線或銅。TI 建議使用 PCB 切口或坡口來(lái)防止可能影響隔離性能的污染。
• 散熱注意事項(xiàng)：
  • 適當(dāng)?shù)?PCB 布局有助于將器件產(chǎn)生的熱量散發(fā)到 PCB，并最大限度地降低結(jié)到電路板的熱阻抗 (θ_JB)。
  • 如果系統(tǒng)有多個(gè)層，TI 還建議通過(guò)具有足夠尺寸的通孔將 VDDH 和 VSSS 引腳連接到內(nèi)部接地或電源平面。這些通孔必須靠近 IC 引腳，以更大限度地提高熱導(dǎo)率。不過(guò)，請(qǐng)記住，不要重疊來(lái)自不同高電壓平面的跡線或銅。