ZHCSVG8A October 2024 – June 2025 TPSI31P1-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DVX|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.3.7 禁止電路
TPSI31P1-Q1 包含輸出驅(qū)動(dòng)器上的禁止電路。禁止電路的目的是將柵極電壓鉗位在可接受的電平以下，以防止外部電源開關(guān)在次級(jí)電源軌未供電時(shí)導(dǎo)通。禁止電路可用于替代或大幅降低外部電源開關(guān)上外部釋放電阻器的要求。
圖 6-3 顯示了禁止電路的簡(jiǎn)化原理圖。晶體管 MP1 和 MN1 構(gòu)成了提供柵極電流來驅(qū)動(dòng)外部電源開關(guān) (M1) 的驅(qū)動(dòng)器。當(dāng)次級(jí)側(cè)未供電時(shí)，從 MN1 的漏極連接到柵極的 1MΩ 電阻器形成 NMOS 二極管配置。任何通過 M1 寄生柵漏和柵源電容耦合到 VDRV 信號(hào)的外部耦合都可能導(dǎo)致 VDRV 信號(hào)上升。MN1 的二極管配置會(huì)灌入該電流，以防止 VDRV 上升過高，從而將 VDRV 鉗位到 VACT_CLAMP。這足以使大多數(shù)電源開關(guān)保持關(guān)斷狀態(tài)。如果需要，還可以在 M1 的柵源之間放置一個(gè)額外的電阻（約為 250kΩ 或更高）。請(qǐng)注意，所施加的任何電阻在正常運(yùn)行時(shí)都需要次級(jí)電源供電，總體功率預(yù)算中應(yīng)考慮這一點(diǎn)。
除了 MN1 二極管鉗位之外，MP1 的體二極管還有助于吸收任何耦合到 VDRV 的電流。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，等效電容 Ceq（CDIV1 和 CDIV2 的串聯(lián)組合）通常約為數(shù)百納法拉。如果功率傳輸停止一段時(shí)間，該電容會(huì)完全放電至 VSSS，并通過連接至 VDDH 的 MP1 的體二極管將 VDRV 二極管鉗位至 VSSS 以上。通過 M1 寄生柵漏和柵源電容耦合到 VDRV 信號(hào)的任何外部耦合都被 Ceq 吸收，從而更大限度減少 VDRV 上的電壓上升。
圖 6-3 禁止電路