ZHCSVG8A October 2024 – June 2025 TPSI31P1-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DVX|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.2 典型應(yīng)用
圖 7-1 中顯示的簡化電路圖是使用 TPSI31P1-Q1 的典型有源預(yù)充電應(yīng)用。TPSI31P1-Q1 與駐留在 TPSI31P1-Q1 初級(jí)側(cè)的微控制器相連。外部功率電感器 L1 以及功率二極管 D1 和功率 FET M1 構(gòu)成降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。M2 是可選功率 FET，可實(shí)現(xiàn)反向阻斷。M2 在預(yù)充電期間靜態(tài)啟用。分流電阻器 RSHUNT 用于通過在 IS+上形成相對(duì)于 VSSS 的電壓來監(jiān)測(cè) L1 中的電流。
向 VDDP 和 CE 施加的電源為高電平時(shí)，通過將 EN 置為高電平來開始預(yù)充電周期。如果 IS+ 低于 VREF-，則 TPSI31P1-Q1 將 VDRV 置為高電平以啟用 M1，M1 開始在 L1 中存儲(chǔ)能量。一旦 L1 中的電流達(dá)到設(shè)置的峰值電平（當(dāng) IS+ 達(dá)到 VREF+ 時(shí)會(huì)發(fā)生這種情況），VDRV 被置為低電平以禁用 M1。此時(shí)，L1 中存儲(chǔ)的能量釋放到電容 CLINK 中。隨著電感器電流減小，IS+ 上的電壓降至 VREF-，并再次啟用 M1。此過程在整個(gè)預(yù)充電周期中持續(xù)進(jìn)行。
在 EN 狀態(tài)為高電平時(shí)，TPSI31P1-Q1 會(huì)在預(yù)充電完成時(shí)使 VDRV 保持被置為高電平。
圖 7-1 典型的有源預(yù)充電應(yīng)用